SiC MOSFET-пластины JC11KVN150
Инновационные SiC MOSFET-пластины модели JC11KVN150 (150 мм) теперь поставляются и на российский рынок. Новинка, разработанная на основе передовой технологии карбида кремния, предназначена для использования в высоковольтных силовых модулях и системах следующего поколения: от промышленных UPS и твердотельных трансформаторов до высоковольтных импульсных источников питания, используемых в энергетике и железнодорожном транспорте.
Ключевые технические характеристики:
-
Пробивное напряжение (BVDSS): >11000 В (тип. 12000 В)
-
Сопротивление открытого канала RDS(ON): 130 мОм (тип. при VGS = 18 В, ID = 20 А)
-
Ток стока (ID): 20 А
-
Диапазон напряжения затвор–исток (VGS): –10/+25 В
-
Пороговое напряжение (VGS(TH)): 3,0…5,0 В
-
Размер кристалла (без скрайба): 10420 x 11420 мкм
-
Толщина пластины: 350 мкм
-
Выход годных кристаллов: 110 шт. с пластины
-
Топ-металлизация: AlSiCu (4 мкм) или система Ni/Pd/Au
-
Тыльная металлизация: Ti/Ni/Ag
Почему это важно для разработчиков?
Пластина JC11KVN150 отличается низкими динамическими потерями, высокой устойчивостью к температурам (допустима работа при 175 °C) и простотой параллельного включения, что критично для создания компактных и эффективных высоковольтных преобразователей.
Актуальные данные о наличии и условиях хранения (в соответствии с IEC62258-3) предоставляются по запросу.
По вопросам приобретения, запроса технической документации (полный даташит версии 1.0) или получения индивидуального коммерческого предложения, пожалуйста, обращайтесь по адресу техподдержки: power@symmetron.ruи получайте новости, спецпредложения, анонсы событий и выставок по почте
