SiC MOSFET-пластины JC11KVN150

Инновационные SiC MOSFET-пластины модели JC11KVN150 (150 мм) теперь поставляются и на российский рынок. Новинка, разработанная на основе передовой технологии карбида кремния, предназначена для использования в высоковольтных силовых модулях и системах следующего поколения: от промышленных UPS и твердотельных трансформаторов до высоковольтных импульсных источников питания, используемых в энергетике и железнодорожном транспорте.

Ключевые технические характеристики:

• Пробивное напряжение (BVDSS): >11000 В (тип. 12000 В)

• Сопротивление открытого канала R_DS(ON): 130 мОм (тип. при V_GS = 18 В, I_D = 20 А)

• Ток стока (I_D): 20 А

• Диапазон напряжения затвор–исток (V_GS): –10/+25 В

• Пороговое напряжение (V_GS(TH)): 3,0…5,0 В

• Размер кристалла (без скрайба): 10420 x 11420 мкм

• Толщина пластины: 350 мкм

• Выход годных кристаллов: 110 шт. с пластины

• Топ-металлизация: AlSiCu (4 мкм) или система Ni/Pd/Au

• Тыльная металлизация: Ti/Ni/Ag

Почему это важно для разработчиков?

Пластина JC11KVN150 отличается низкими динамическими потерями, высокой устойчивостью к температурам (допустима работа при 175 °C) и простотой параллельного включения, что критично для создания компактных и эффективных высоковольтных преобразователей.

Актуальные данные о наличии и условиях хранения (в соответствии с IEC62258-3) предоставляются по запросу.

По вопросам приобретения, запроса технической документации (полный даташит версии 1.0) или получения индивидуального коммерческого предложения, пожалуйста, обращайтесь по адресу техподдержки: power@symmetron.ru