Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина

Полевые (MOSFET) транзисторы силовые

3749 компонентов
Фильтры
все цены на товары указаны с учётом НДС
WMO80R1K5S WayOn
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
1.5 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Id:
5 А
Qg:
11.2 нКл
WMO80R1K5S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1.5 Ом; Id: 5 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 11.2 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
1.5 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Все характеристики
В наличии
19 674 шт
от 1 шт
57.19 руб./шт
от 250 шт
43.70 руб./шт
от 2 500 шт
33.66 руб./шт
от 33.66 руб. /шт
WMO80R1K0S WayOn
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
1.05 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Id:
6 А
Qg:
13.2 нКл
WMO80R1K0S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1.05 Ом; Id: 6 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 13.2 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
1.05 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Все характеристики
В наличии
19 348 шт
от 1 шт
81.03 руб./шт
от 250 шт
61.96 руб./шт
от 2 500 шт
47.67 руб./шт
от 47.67 руб. /шт
WMO80R720S WayOn
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
0.8 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Id:
7 А
Qg:
16 нКл
WMO80R720S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.8 Ом; Id: 7 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 16 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
0.8 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Все характеристики
В наличии
17 468 шт
от 1 шт
64.55 руб./шт
от 250 шт
49.36 руб./шт
от 2 500 шт
37.98 руб./шт
от 37.98 руб. /шт
DI020N06D1 Diotec
Корпус:
TO-252AA/D-PAK
Rds(on):
0.024 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
60 В
Id:
20 А
Qg:
25.3 нКл
DI020N06D1 Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 0.024 Ом; Id: 20 А; Корпус: TO-252AA/D-PAK; Qg: 25.3 нКл
Корпус:
TO-252AA/D-PAK
Rds(on):
0.024 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
60 В
Все характеристики
В наличии
12 366 шт
от 1 шт
21.37 руб./шт
от 100 шт
19.43 руб./шт
от 500 шт
16.84 руб./шт
от 2 500 шт
12.94 руб./шт
от 12.94 руб. /шт
WMO07N60C4 WayOn
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
1.14 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Id:
5 А
Qg:
5.2 нКл
WMO07N60C4 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 1.14 Ом; Id: 5 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 5.2 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
1.14 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Все характеристики
В наличии
9 895 шт
от 1 шт
27.46 руб./шт
от 250 шт
21.01 руб./шт
от 2 500 шт
16.17 руб./шт
от 16.17 руб. /шт
WML90R360S WayOn
Корпус:
TO-220F
Rds(on):
0.34 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Id:
13 А
Qg:
32 нКл
WML90R360S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.34 Ом; Id: 13 А; Корпус: TO-220F; Qg: 32 нКл
Корпус:
TO-220F
Rds(on):
0.34 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Все характеристики
В наличии
9 179 шт
от 1 шт
192.27 руб./шт
от 250 шт
147.03 руб./шт
от 1 000 шт
113.11 руб./шт
от 113.11 руб. /шт
IRF840PBF Vishay
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
0.85 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
500 В
Id:
8 А
Qg:
63 нКл
Документация
IRF840PBF Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0.85 мОм; Id: 8 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 63 нКл
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
0.85 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
500 В
Все характеристики
В наличии
8 495 шт
от 1 шт
86.10 руб./шт
от 100 шт
66.97 руб./шт
от 500 шт
57.41 руб./шт
от 2 000 шт
47.84 руб./шт
от 47.84 руб. /шт
WM03N57M WayOn
Корпус:
SOT-23
Rds(on):
36 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Документация
WM03N57M WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 36 Ом; Id: 5.8 А; Корпус: SOT-23; Qg: 7.5 нКл
Корпус:
SOT-23
Rds(on):
36 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Все характеристики
В наличии
7 952 шт
от 1 шт
3.07 руб./шт
от 250 шт
2.34 руб./шт
от 3 000 шт
1.85 руб./шт
от 1.85 руб. /шт
DI015N25D1 Diotec
Корпус:
TO-252AA/D-PAK
Rds(on):
0.2 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
250 В
Id:
15 А
Qg:
8.9 нКл
DI015N25D1 Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 250 В; Rds(on): 0.2 Ом; Id: 15 А; Корпус: TO-252AA/D-PAK; Qg: 8.9 нКл
Корпус:
TO-252AA/D-PAK
Rds(on):
0.2 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
250 В
Все характеристики
В наличии
5 000 шт
от 1 шт
92 руб./шт
от 100 шт
83.64 руб./шт
от 500 шт
72.48 руб./шт
от 2 500 шт
55.77 руб./шт
от 55.77 руб. /шт
DI070P04PQ-AQ Diotec
Корпус:
PowerQFN 5x6
Rds(on):
0.0065 Ом
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-40 В
Id:
-70 А
Qg:
125 нКл
DI070P04PQ-AQ Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -40 В; Rds(on): 0.0065 Ом; Id: -70 А; Корпус: PowerQFN 5x6; Qg: 125 нКл
Корпус:
PowerQFN 5x6
Rds(on):
0.0065 Ом
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-40 В
Все характеристики
В наличии
3 664 шт
от 1 шт
103.41 руб./шт
от 100 шт
94.01 руб./шт
от 500 шт
81.47 руб./шт
от 2 500 шт
62.67 руб./шт
от 62.67 руб. /шт
DI110N15PQ Diotec
Корпус:
PowerQFN 5x6
Rds(on):
0.0117 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
150 В
Id:
110 А
Qg:
51 нКл
DI110N15PQ Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0117 Ом; Id: 110 А; Корпус: PowerQFN 5x6; Qg: 51 нКл
Корпус:
PowerQFN 5x6
Rds(on):
0.0117 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
150 В
Все характеристики
В наличии
3 180 шт
от 1 шт
78.02 руб./шт
от 100 шт
70.93 руб./шт
от 500 шт
61.46 руб./шт
от 2 500 шт
47.29 руб./шт
от 47.29 руб. /шт
SI3443BDV-T1-GE3 Vishay
Корпус:
TSOP-6
Rds(on):
60 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-20 В
Id:
-4.7 А
Qg:
6 нКл
SI3443BDV-T1-GE3 Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -20 В; Rds(on): 60 мОм; Id: -4.7 А; Корпус: TSOP-6; Qg: 6 нКл
Корпус:
TSOP-6
Rds(on):
60 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-20 В
Все характеристики
В наличии
3 000 шт
от 1 шт
14.54 руб./шт
от 14.54 руб. /шт
WMO80R480S WayOn
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
0.48 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Id:
12 А
Qg:
25 нКл
WMO80R480S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0.48 Ом; Id: 12 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 25 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
0.48 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Все характеристики
В наличии
2 725 шт
от 1 шт
135.97 руб./шт
от 250 шт
103.97 руб./шт
от 2 500 шт
79.98 руб./шт
от 79.98 руб. /шт
WML15N65C4 WayOn
Корпус:
TO-220F
Rds(on):
0.3 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
650 В
Id:
13 А
Qg:
14.6 нКл
WML15N65C4 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.3 Ом; Id: 13 А; Корпус: TO-220F; Qg: 14.6 нКл
Корпус:
TO-220F
Rds(on):
0.3 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
650 В
Все характеристики
В наличии
2 606 шт
от 1 шт
76.91 руб./шт
от 250 шт
58.82 руб./шт
от 1 000 шт
45.25 руб./шт
от 45.25 руб. /шт
WMJ53N60C4 WayOn
Корпус:
TO-247
Rds(on):
0.07 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
600 В
Id:
50 А
Qg:
58 нКл
WMJ53N60C4 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Id: 50 А; Корпус: TO-247; Qg: 58 нКл
Корпус:
TO-247
Rds(on):
0.07 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
600 В
Все характеристики
В наличии
2 352 шт
от 1 шт
295.28 руб./шт
от 250 шт
225.81 руб./шт
от 1 000 шт
173.70 руб./шт
от 173.70 руб. /шт
IRFR9310TRPBF Vishay
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
7 Ом
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-400 В
Id:
1.1 А
Qg:
13 нКл
IRFR9310TRPBF Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -400 В; Rds(on): 7 Ом; Id: 1.1 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 13 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
7 Ом
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-400 В
Все характеристики
В наличии
2 180 шт
от 1 шт
110.52 руб./шт
от 100 шт
85.96 руб./шт
от 250 шт
73.68 руб./шт
от 1 000 шт
61.39 руб./шт
от 61.39 руб. /шт
DIT195N08 Diotec
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
0.0041 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
85 В
Id:
195 А
Qg:
296 нКл
DIT195N08 Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 85 В; Rds(on): 0.0041 Ом; Id: 195 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 296 нКл
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
0.0041 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
85 В
Все характеристики
В наличии
2 096 шт
от 1 шт
199.02 руб./шт
от 100 шт
180.94 руб./шт
от 500 шт
156.81 руб./шт
от 1 000 шт
120.62 руб./шт
от 120.62 руб. /шт
IRF640NPBF Infineon
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
150 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
200 В
Документация
IRF640NPBF Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 150 мОм; Id: 18 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 67 нКл
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
150 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
200 В
Все характеристики
В наличии
1 948 шт
от 1 шт
75.02 руб./шт
от 50 шт
62.51 руб./шт
от 500 шт
48.08 руб./шт
от 1 000 шт
40.16 руб./шт
от 40.16 руб. /шт
IRF9540NPBF Infineon
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
117 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-100 В
Id:
-14 А
Qg:
97 нКл
IRF9540NPBF Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -100 В; Rds(on): 117 мОм; Id: -14 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 97 нКл
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
117 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-100 В
Все характеристики
В наличии
1 716 шт
от 1 шт
98.76 руб./шт
от 50 шт
82.30 руб./шт
от 500 шт
63.32 руб./шт
от 1 000 шт
52.77 руб./шт
от 52.77 руб. /шт
IRFR9120NTRPBF Infineon
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
480 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-100 В
Id:
-6.6 А
Qg:
27 нКл
IRFR9120NTRPBF Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -100 В; Rds(on): 480 мОм; Id: -6.6 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 27 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
480 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-100 В
Все характеристики
В наличии
1 552 шт
от 1 шт
55.35 руб./шт
от 50 шт
46.12 руб./шт
от 500 шт
35.48 руб./шт
от 1 000 шт
29.73 руб./шт
от 29.73 руб. /шт