Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы

Удалить все фильтры
Производитель
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Q g
I d
Корпус
image/svg+xml
Код товара производителя
IMZ120R045M1XKSA1
IMW120R045M1XKSA1
IMW120R350M1HXKSA1
IMW120R220M1HXKSA1
IMW120R140M1HXKSA1
IMW120R090M1HXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1
IMW65R027M1HXKSA1
IMZ120R060M1HXKSA1
IMBF170R650M1XTMA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
IMW65R048M1HXKSA1
IMW65R107M1HXKSA1
IMW65R072M1HXKSA1
IMBG120R060M1HXTMA1
IMBG120R090M1HXTMA1
IMBG120R140M1HXTMA1
IMBG120R350M1H
IMBG120R220M1HXTMA1
RSM120040W
RSM120080W
G1M080120BM
RSM170045W
RSM065030W
RSM120160W
RSM1701K0W
AIMW120R035M1HXKSA1
RSM120025Z
Производитель
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Q g
I d
Корпус
Наличие
Цена от
Infineon N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-4 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R045M1XKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Q g: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R045M1XKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Q g: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
Infineon N-Channel 1200 В 455 мОм 5.3 нКл 4.7 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R350M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 455 мОм; Q g: 5.3 нКл; I d: 4.7 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1200 В 286 мОм 8.5 нКл 13 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R220M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 286 мОм; Q g: 8.5 нКл; I d: 13 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
Infineon N-Channel 1200 В 182 мОм 13 нКл 19 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R140M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 182 мОм; Q g: 13 нКл; I d: 19 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 240 Штук в Пенале
Infineon N-Channel 1200 В 117 мОм 21 нКл 26 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R090M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 117 мОм; Q g: 21 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 240 Штук в Пенале
Infineon N-Channel 1200 В 78 мОм 31 нКл 36 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R060M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 78 мОм; Q g: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 8 Штук в Коробке
Infineon N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R030M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Q g: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 240 Штук в Пенале
Infineon N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-4 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R030M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Q g: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 650 В 27 мОм 62 нКл 47 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R027M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 27 мОм; Q g: 62 нКл; I d: 47 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1200 В 60 мОм 31 нКл 36 А TO-247-4 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R060M1HXKSA1; IGBT4 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Q g: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1700 В 650 мОм 8 нКл 7.4 А PG-TO263-7 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBF170R650M1XTMA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 650 мОм; Q g: 8 нКл; I d: 7.4 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ 15 Штук в Коробке
Infineon N-Channel 1700 В 1000 мОм 5 нКл 5.2 А PG-TO263-7 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBF170R1K0M1XTMA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; Q g: 5 нКл; I d: 5.2 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ 15 Штук в Коробке
Infineon N-Channel 650 В 48 мОм 33 нКл 24 А TO-247AC Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R048M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 48 мОм; Q g: 33 нКл; I d: 24 А; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 650 В 107 мОм 15 нКл 20 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R107M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 107 мОм; Q g: 15 нКл; I d: 20 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 650 В 72 мОм 22 нКл 26 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R072M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 72 мОм; Q g: 22 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1.2 кВ 83 мОм 34 нКл 36 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R060M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 83 мОм; Q g: 34 нКл ; I d: 36 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1.2 кВ 125 мОм 23 нКл 26 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R090M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 125 мОм; Q g: 23 нКл ; I d: 26 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1.2 кВ 189 мОм 13.4 нКл 18 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R140M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 189 мОм; Q g: 13.4 нКл ; I d: 18 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ 6 Штук в Коробке
Infineon N-Channel 1.2 кВ 468 мОм 5.9 нКл 4.7 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R350M1H Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R350M1H; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 468 мОм; Q g: 5.9 нКл ; I d: 4.7 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon - - - - - - Под заказ 556.20 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R220M1HXTMA1; Производитель: Infineon
Добавить в избранное
Под заказ 1000 Штук в Катушке
Reasunos - - - - - - Под заказ 1 545.37 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120040W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120040W; Производитель: Reasunos
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
Reasunos - - - - - - Под заказ 871.67 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120080W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120080W; Производитель: Reasunos
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
Global Power Technology - - - - - - Под заказ 2 211.30 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
G1M080120BM Global Power Technology
Полная карточка товара
SiC транзистор G1M080120BM; Производитель: Global Power Technology
Добавить в избранное
Под заказ 10 Штук в Пенале
Reasunos - - - - - - Под заказ 5 087.60 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM170045W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM170045W; Производитель: Reasunos
Добавить в избранное
Под заказ 1 Штука в Пенале
Reasunos - - - - - - Под заказ 1 217.06 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM065030W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM065030W; Производитель: Reasunos
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
Reasunos - - - - - - Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120160W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120160W; Производитель: Reasunos
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
Reasunos - - - - - - Под заказ 296.59 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM1701K0W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM1701K0W; Производитель: Reasunos
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
Infineon - - - - - - Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
AIMW120R035M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор AIMW120R035M1HXKSA1; Производитель: Infineon
Добавить в избранное
Под заказ 20 Штук в Пенале
Reasunos - - - - - - Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120025Z Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120025Z; Производитель: Reasunos
Добавить в избранное
Под заказ 540 Штук в Пенале
  • Назад
  • 1
  • Вперед
    • 50
    • 150
    • 250
Для комфортного просмотра контента на мобильном устройстве, приведите устройство в горизонтальное положение