| IMZ120R045M1XKSA1 |
| IMW120R045M1XKSA1 |
| IMW120R350M1HXKSA1 |
| IMW120R220M1HXKSA1 |
| IMW120R140M1HXKSA1 |
| IMW120R090M1HXKSA1 |
| IMW120R060M1HXKSA1 |
| IMW120R030M1HXKSA1 |
| IMZ120R030M1HXKSA1 |
| IMW65R027M1HXKSA1 |
| IMZ120R060M1HXKSA1 |
| IMBF170R650M1XTMA1 |
| IMBF170R1K0M1XTMA1 |
| IMW65R048M1HXKSA1 |
| IMW65R107M1HXKSA1 |
| IMW65R072M1HXKSA1 |
| IMBG120R060M1HXTMA1 |
| IMBG120R090M1HXTMA1 |
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
| IMBG120R350M1H |
| IMBG120R220M1HXTMA1 |
| RSM120040W |
| RSM120080W |
| G1M080120BM |
| RSM170045W |
| RSM065030W |
| RSM120160W |
| RSM1701K0W |
| AIMW120R035M1HXKSA1 |
| RSM120025Z |
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-4 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R045M1XKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Q g: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R045M1XKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Q g: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 455 мОм | 5.3 нКл | 4.7 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R350M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 455 мОм; Q g: 5.3 нКл; I d: 4.7 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 286 мОм | 8.5 нКл | 13 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R220M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 286 мОм; Q g: 8.5 нКл; I d: 13 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 182 мОм | 13 нКл | 19 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R140M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 182 мОм; Q g: 13 нКл; I d: 19 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 117 мОм | 21 нКл | 26 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R090M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 117 мОм; Q g: 21 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 78 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R060M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 78 мОм; Q g: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
8 Штук в Коробке
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R030M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Q g: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-4 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R030M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Q g: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 27 мОм | 62 нКл | 47 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R027M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 27 мОм; Q g: 62 нКл; I d: 47 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 60 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-4 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R060M1HXKSA1; IGBT4 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Q g: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1700 В | 650 мОм | 8 нКл | 7.4 А | PG-TO263-7 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBF170R650M1XTMA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 650 мОм; Q g: 8 нКл; I d: 7.4 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ
15 Штук в Коробке
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1700 В | 1000 мОм | 5 нКл | 5.2 А | PG-TO263-7 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBF170R1K0M1XTMA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; Q g: 5 нКл; I d: 5.2 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ
15 Штук в Коробке
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 48 мОм | 33 нКл | 24 А | TO-247AC | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R048M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 48 мОм; Q g: 33 нКл; I d: 24 А; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 107 мОм | 15 нКл | 20 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R107M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 107 мОм; Q g: 15 нКл; I d: 20 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 72 мОм | 22 нКл | 26 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R072M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 72 мОм; Q g: 22 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1.2 кВ | 83 мОм | 34 нКл | 36 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R060M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 83 мОм; Q g: 34 нКл ; I d: 36 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1.2 кВ | 125 мОм | 23 нКл | 26 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R090M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 125 мОм; Q g: 23 нКл ; I d: 26 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1.2 кВ | 189 мОм | 13.4 нКл | 18 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R140M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 189 мОм; Q g: 13.4 нКл ; I d: 18 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
6 Штук в Коробке
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1.2 кВ | 468 мОм | 5.9 нКл | 4.7 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R350M1H Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R350M1H; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 468 мОм; Q g: 5.9 нКл ; I d: 4.7 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | - | - | - | - | - | - | Под заказ | 556.20 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R220M1HXTMA1; Производитель: Infineon
Добавить в избранное
Под заказ
1000 Штук в Катушке
|
||||||||
| Reasunos | - | - | - | - | - | - | Под заказ | 1 545.37 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120040W Reasunos
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| Reasunos | - | - | - | - | - | - | Под заказ | 871.67 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120080W Reasunos
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| Global Power Technology | - | - | - | - | - | - | Под заказ | 2 211.30 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
G1M080120BM Global Power Technology
Полная карточка товара
SiC транзистор G1M080120BM; Производитель: Global Power Technology
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
|
||||||||
| Reasunos | - | - | - | - | - | - | Под заказ | 5 087.60 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM170045W Reasunos
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
||||||||
| Reasunos | - | - | - | - | - | - | Под заказ | 1 217.06 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM065030W Reasunos
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| Reasunos | - | - | - | - | - | - | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120160W Reasunos
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| Reasunos | - | - | - | - | - | - | Под заказ | 296.59 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM1701K0W Reasunos
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | - | - | - | - | - | - | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
AIMW120R035M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор AIMW120R035M1HXKSA1; Производитель: Infineon
Добавить в избранное
Под заказ
20 Штук в Пенале
|
||||||||
| Reasunos | - | - | - | - | - | - | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120025Z Reasunos
Под заказ
540 Штук в Пенале
|
||||||||
- Назад
- 1
- Вперед
- на стр.