| IMZ120R045M1XKSA1 |
| IMW120R045M1XKSA1 |
| IMW120R350M1HXKSA1 |
| IMW120R220M1HXKSA1 |
| IMW120R140M1HXKSA1 |
| IMW120R090M1HXKSA1 |
| IMW120R060M1HXKSA1 |
| IMW120R030M1HXKSA1 |
| IMZ120R030M1HXKSA1 |
| IMW65R027M1HXKSA1 |
| IMZ120R060M1HXKSA1 |
| IMBF170R650M1XTMA1 |
| IMBF170R1K0M1XTMA1 |
| IMW65R048M1HXKSA1 |
| IMW65R107M1HXKSA1 |
| IMW65R072M1HXKSA1 |
| IMBG120R060M1HXTMA1 |
| IMBG120R090M1HXTMA1 |
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
| IMBG120R350M1H |
| IMBG120R220M1HXTMA1 |
| G1M080120BM |
| AIMW120R035M1HXKSA1 |
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-4 | Под заказ | 946.28 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R045M1XKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Q g: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
984.13 руб./шт.
от 240 шт.
946.28 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-3 | Под заказ | 928.03 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R045M1XKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Q g: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
965.15 руб./шт.
от 240 шт.
928.03 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 455 мОм | 5.3 нКл | 4.7 А | TO-247-3 | Под заказ | 332.03 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R350M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 455 мОм; Q g: 5.3 нКл; I d: 4.7 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
345.31 руб./шт.
от 240 шт.
332.03 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 286 мОм | 8.5 нКл | 13 А | TO-247-3 | Под заказ | 360.25 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R220M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 286 мОм; Q g: 8.5 нКл; I d: 13 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
374.66 руб./шт.
от 240 шт.
360.25 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 182 мОм | 13 нКл | 19 А | TO-247-3 | Под заказ | 403.42 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R140M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 182 мОм; Q g: 13 нКл; I d: 19 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
от 1 шт.
419.56 руб./шт.
от 240 шт.
403.42 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 117 мОм | 21 нКл | 26 А | TO-247-3 | Под заказ | 514.66 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R090M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 117 мОм; Q g: 21 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
от 1 шт.
535.24 руб./шт.
от 240 шт.
514.66 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 78 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-3 | Под заказ | 654.11 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R060M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 78 мОм; Q g: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
8 Штук в Коробке
от 1 шт.
680.27 руб./шт.
от 240 шт.
654.11 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-3 | Под заказ | 1 196.98 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R030M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Q g: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 244.84 руб./шт.
от 240 шт.
1 196.98 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-4 | Под заказ | 1 271.68 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R030M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Q g: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
1 322.54 руб./шт.
от 240 шт.
1 271.68 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 27 мОм | 62 нКл | 47 А | TO-247-3 | Под заказ | 1 363.62 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R027M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 27 мОм; Q g: 62 нКл; I d: 47 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
1 418.16 руб./шт.
от 240 шт.
1 363.62 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 60 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-4 | Под заказ | 703.91 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R060M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Q g: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
732.06 руб./шт.
от 240 шт.
703.91 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1700 В | 650 мОм | 8 нКл | 7.4 А | PG-TO263-7 | Под заказ | 286.75 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBF170R650M1XTMA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 650 мОм; Q g: 8 нКл; I d: 7.4 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ
15 Штук в Коробке
от 1 шт.
298.22 руб./шт.
от 1000 шт.
286.75 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1700 В | 1000 мОм | 5 нКл | 5.2 А | PG-TO263-7 | Под заказ | 237.01 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBF170R1K0M1XTMA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; Q g: 5 нКл; I d: 5.2 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ
15 Штук в Коробке
от 1 шт.
246.49 руб./шт.
от 1000 шт.
237.01 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 48 мОм | 33 нКл | 24 А | TO-247AC | Под заказ | 823.86 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R048M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 48 мОм; Q g: 33 нКл; I d: 24 А; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
856.80 руб./шт.
от 240 шт.
823.86 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 107 мОм | 15 нКл | 20 А | TO-247-3 | Под заказ | 490.88 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R107M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 107 мОм; Q g: 15 нКл; I d: 20 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
510.52 руб./шт.
от 240 шт.
490.88 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 72 мОм | 22 нКл | 26 А | TO-247-3 | Под заказ | 621.24 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R072M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 72 мОм; Q g: 22 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
646.10 руб./шт.
от 240 шт.
621.24 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1.2 кВ | 83 мОм | 34 нКл | 36 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 745.78 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R060M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 83 мОм; Q g: 34 нКл ; I d: 36 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
775.60 руб./шт.
от 1000 шт.
745.78 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1.2 кВ | 125 мОм | 23 нКл | 26 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 594.23 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R090M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 125 мОм; Q g: 23 нКл ; I d: 26 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
618 руб./шт.
от 1000 шт.
594.23 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1.2 кВ | 189 мОм | 13.4 нКл | 18 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 468.80 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R140M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 189 мОм; Q g: 13.4 нКл ; I d: 18 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
6 Штук в Коробке
от 1 шт.
487.55 руб./шт.
от 1000 шт.
468.80 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1.2 кВ | 468 мОм | 5.9 нКл | 4.7 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R350M1H Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R350M1H; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 468 мОм; Q g: 5.9 нКл ; I d: 4.7 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | - | - | - | - | - | - | Под заказ | 494.10 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R220M1HXTMA1; Производитель: Infineon
Добавить в избранное
Под заказ
1000 Штук в Катушке
от 1 шт.
494.10 руб./шт.
|
||||||||
| Global Power Technology | - | - | - | - | - | - | Под заказ | 1 989 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор GPT
Полная карточка товара
SiC транзистор G1M080120BM; Производитель: Global Power Technology
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 989 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | - | - | - | - | - | - | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
AIMW120R035M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор AIMW120R035M1HXKSA1; Производитель: Infineon
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
- Назад
- 1
- Вперед
- на стр.