Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы

Удалить все фильтры
Производитель
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Q g
I d
Корпус
image/svg+xml
Код товара производителя
IMZ120R045M1XKSA1
IMW120R045M1XKSA1
IMW120R350M1HXKSA1
IMW120R220M1HXKSA1
IMW120R140M1HXKSA1
IMW120R090M1HXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1
IMW65R027M1HXKSA1
IMZ120R060M1HXKSA1
IMBF170R650M1XTMA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
IMW65R048M1HXKSA1
IMW65R107M1HXKSA1
IMW65R072M1HXKSA1
IMBG120R060M1HXTMA1
IMBG120R090M1HXTMA1
IMBG120R140M1HXTMA1
IMBG120R350M1H
Производитель
Описание
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Q g
I d
Корпус
Наличие
Цена от
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 59 мОм, 52 нКл, 52А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-4 Нет в наличии 940.21 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 59 мОм; Q g: 52 нКл; I d: 52А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 977.83 руб./шт.
от 240 шт. 940.21 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 59 мОм, 52 нКл, 52А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-3 Нет в наличии 905.65 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 59 мОм; Q g: 52 нКл; I d: 52А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 30 штук в пенале
от 1 шт. 941.87 руб./шт.
от 10 шт. 1 356.74 руб./шт.
от 100 шт. 1 308.25 руб./шт.
от 240 шт. 905.65 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 455 мОм, 5.3 нКл, 4.7А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 455 мОм 5.3 нКл 4.7 А TO-247-3 Нет в наличии 327.44 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 455 мОм; Q g: 5.3 нКл; I d: 4.7А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 340.54 руб./шт.
от 240 шт. 327.44 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 286 мОм, 8.5 нКл, 13А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 286 мОм 8.5 нКл 13 А TO-247-3 Нет в наличии 354.54 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 286 мОм; Q g: 8.5 нКл; I d: 13А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 30 штук в пенале
от 1 шт. 368.72 руб./шт.
от 240 шт. 354.54 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 182 мОм, 13 нКл, 19А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 182 мОм 13 нКл 19 А TO-247-3 Нет в наличии 397 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 182 мОм; Q g: 13 нКл; I d: 19А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 412.87 руб./шт.
от 240 шт. 397 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 117 мОм, 21 нКл, 26А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 117 мОм 21 нКл 26 А TO-247-3 Нет в наличии 499.80 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 117 мОм; Q g: 21 нКл; I d: 26А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 519.79 руб./шт.
от 240 шт. 499.80 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 78 мОм, 31 нКл, 36А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 78 мОм 31 нКл 36 А TO-247-3 Нет в наличии 637.94 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 78 мОм; Q g: 31 нКл; I d: 36А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 8 штук в коробке
от 1 шт. 663.47 руб./шт.
от 240 шт. 637.94 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 40 мОм, 63 нКл, 56А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-3 Нет в наличии 1 170.86 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 40 мОм; Q g: 63 нКл; I d: 56А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 1 217.69 руб./шт.
от 240 шт. 1 170.86 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 40 мОм, 63 нКл, 56А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-4 Нет в наличии 1 234.69 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 40 мОм; Q g: 63 нКл; I d: 56А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 284.07 руб./шт.
от 240 шт. 1 234.69 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650В, 27 мОм, 62 нКл, 47А, TO-247-3 N-Channel 650 В 27 мОм 62 нКл 47 А TO-247-3 Нет в наличии 1 399.09 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650В; Rds(on): 27 мОм; Q g: 62 нКл; I d: 47А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 455.05 руб./шт.
от 240 шт. 1 399.09 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 60 мОм, 31 нКл, 36А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 60 мОм 31 нКл 36 А TO-247-4 Нет в наличии 699.29 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 60 мОм; Q g: 31 нКл; I d: 36А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 727.26 руб./шт.
от 240 шт. 699.29 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1700В, 650 мОм, 8 нКл, 7.4А, PG-TO263-7 N-Channel 1700 В 650 мОм 8 нКл 7.4 А PG-TO263-7 Нет в наличии 301.92 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700В; Rds(on): 650 мОм; Q g: 8 нКл; I d: 7.4А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Нет в наличии 15 штук в коробке
от 1 шт. 313.99 руб./шт.
от 1000 шт. 301.92 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1700В, 1000 мОм, 5 нКл, 5.2А, PG-TO263-7 N-Channel 1700 В 1000 мОм 5 нКл 5.2 А PG-TO263-7 Нет в наличии 251.59 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700В; Rds(on): 1000 мОм; Q g: 5 нКл; I d: 5.2А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Нет в наличии 15 штук в коробке
от 1 шт. 261.65 руб./шт.
от 1000 шт. 251.59 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650В, 48 мОм, 33 нКл, 24А, TO-247AC N-Channel 650 В 48 мОм 33 нКл 24 А TO-247AC Нет в наличии 845.28 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650В; Rds(on): 48 мОм; Q g: 33 нКл; I d: 24А; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 879.08 руб./шт.
от 240 шт. 845.28 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650В, 107 мОм, 15 нКл, 20А, TO-247-3 N-Channel 650 В 107 мОм 15 нКл 20 А TO-247-3 Нет в наличии 503.65 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650В; Rds(on): 107 мОм; Q g: 15 нКл; I d: 20А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 523.80 руб./шт.
от 240 шт. 503.65 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650В, 72 мОм, 22 нКл, 26А, TO-247-3 N-Channel 650 В 72 мОм 22 нКл 26 А TO-247-3 Нет в наличии 637.40 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650В; Rds(on): 72 мОм; Q g: 22 нКл; I d: 26А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 662.90 руб./шт.
от 240 шт. 637.40 руб./шт.
Infineon SiC транзистор Нет в наличии 872.20 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: ; V(br)dss: ; Rds(on): ; Q g: ; I d: ; Корпус:
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 907.08 руб./шт.
от 1000 шт. 872.20 руб./шт.
Infineon SiC транзистор Нет в наличии 680.23 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: ; V(br)dss: ; Rds(on): ; Q g: ; I d: ; Корпус:
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 707.45 руб./шт.
от 1000 шт. 680.23 руб./шт.
Infineon SiC транзистор Нет в наличии 568.42 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: ; V(br)dss: ; Rds(on): ; Q g: ; I d: ; Корпус:
Добавить в избранное
Нет в наличии 6 штук в коробке
от 1 шт. 591.14 руб./шт.
от 1000 шт. 568.42 руб./шт.
Infineon SiC транзистор Нет в наличии
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R350M1H Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: ; V(br)dss: ; Rds(on): ; Q g: ; I d: ; Корпус:
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
  • Назад
  • 1
  • Вперед
    • 50
    • 150
    • 250
Для комфортного просмотра контента на мобильном устройстве, приведите устройство в горизонтальное положение