IMZ120R045M1XKSA1 |
IMW120R045M1XKSA1 |
IMW120R350M1HXKSA1 |
IMW120R220M1HXKSA1 |
IMW120R140M1HXKSA1 |
IMW120R090M1HXKSA1 |
IMW120R060M1HXKSA1 |
IMW120R030M1HXKSA1 |
IMZ120R030M1HXKSA1 |
IMW65R027M1HXKSA1 |
IMZ120R060M1HXKSA1 |
IMBF170R650M1XTMA1 |
IMBF170R1K0M1XTMA1 |
IMW65R048M1HXKSA1 |
IMW65R107M1HXKSA1 |
IMW65R072M1HXKSA1 |
IMBG120R060M1HXTMA1 |
IMBG120R090M1HXTMA1 |
IMBG120R140M1HXTMA1 |
IMBG120R350M1H |
IMBG120R220M1HXTMA1 |
RSM120040W |
RSM120080W |
G1M080120BM |
RSM170045W |
RSM065030W |
YJD212080NCFG1 |
YJD212080NCTG1 |
RSM120160W |
RSM1701K0W |
YJD212040NCTG1 |
YJD212040NCFG |
YJD212040NCFG1 |
AIMW120R035M1HXKSA1 |
RSM120025Z |
YJD217045NCFGH |
YJD212060NCTGH |
YJD212040NCFGH |
YJD212060NCFGH |
YJD206525NCFGH |
YJD206525NCTGH |
MC20UZ12ST |
DFS10HF12EYA2 |
YJD212060B7GH |
Infineon | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-4 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMZ120R045M1 SP001346258 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R045M1XKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Qrr: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW120R045M1 SP001346254 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R045M1XKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Qrr: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 455 мОм | 5.3 нКл | 4.7 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW120R350M1H SP001808376 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R350M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 455 мОм; Qrr: 5.3 нКл; I d: 4.7 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 286 мОм | 8.5 нКл | 13 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW120R220M1H SP001946188 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R220M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 286 мОм; Qrr: 8.5 нКл; I d: 13 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 182 мОм | 13 нКл | 19 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW120R140M1H SP001946184 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R140M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 182 мОм; Qrr: 13 нКл; I d: 19 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 117 мОм | 21 нКл | 26 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW120R090M1H SP001946164 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R090M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 117 мОм; Qrr: 21 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 78 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW120R060M1H SP001808368 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R060M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 78 мОм; Qrr: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
8 Штук в Коробке
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW120R030M1H SP001727390 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R030M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-4 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMZ120R030M1H SP001727394 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R030M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 650 В | 27 мОм | 62 нКл | 47 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW65R027M1H SP005398440 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R027M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 27 мОм; Qrr: 62 нКл; I d: 47 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 60 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-4 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMZ120R060M1H SP001808370 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R060M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1700 В | 650 мОм | 8 нКл | 7.4 А | PG-TO263-7 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMBF170R650M1 SP002739686 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBF170R650M1XTMA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 650 мОм; Qrr: 8 нКл; I d: 7.4 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ
15 Штук в Коробке
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1700 В | 1000 мОм | 5 нКл | 5.2 А | PG-TO263-7 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMBF170R1K0M1 SP002739692 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBF170R1K0M1XTMA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; Qrr: 5 нКл; I d: 5.2 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ
15 Штук в Коробке
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 650 В | 48 мОм | 33 нКл | 24 А | TO-247AC | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW65R048M1H SP005398439 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R048M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 48 мОм; Qrr: 33 нКл; I d: 24 А; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 650 В | 107 мОм | 15 нКл | 20 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW65R107M1H SP005398436 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R107M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 107 мОм; Qrr: 15 нКл; I d: 20 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 650 В | 72 мОм | 22 нКл | 26 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMW65R072M1H SP005398438 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R072M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 72 мОм; Qrr: 22 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 83 мОм | 34 нКл | 36 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMBG120R060M1H SP004363744 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R060M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 83 мОм; Qrr: 34 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 125 мОм | 23 нКл | 26 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMBG120R090M1H SP004463788 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R090M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 125 мОм; Qrr: 23 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 189 мОм | 13.4 нКл | 18 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор IMBG120R140M1H SP004463792 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R140M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 189 мОм; Qrr: 13.4 нКл; I d: 18 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
6 Штук в Коробке
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 468 мОм | 5.9 нКл | 4.7 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор SP004463802 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R350M1H; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 468 мОм; Qrr: 5.9 нКл; I d: 4.7 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 35 мОм | 59 нКл | 52 А | TO-247 | Под заказ | 596.70 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R220M1HXTMA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 35 мОм; Qrr: 59 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
1000 Штук в Катушке
от 1 шт.
596.70 руб./шт.
|
||||||||
Reasunos | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 109 нКл | 68 А | TO-247-3 | Под заказ | 1 979.26 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120040W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120040W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 109 нКл; I d: 68 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 979.26 руб./шт.
|
||||||||
Reasunos | N-Channel | 1200 В | 80 мОм | 80 нКл | 28 А | TO-247-3 | Под заказ | 1 969.10 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120080W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120080W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 80 нКл; I d: 28 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 969.10 руб./шт.
|
||||||||
Global Power Technology | N-Channel | 1200 В | 80 мОм | 46 нКл | 40 А | TO-247 | Под заказ | 2 375.10 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
G1M080120BM Global Power Technology
Полная карточка товара
SiC транзистор G1M080120BM; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 46 нКл; I d: 40 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
от 1 шт.
2 375.10 руб./шт.
|
||||||||
Reasunos | N-Channel | 1700 В | 45 мОм | 220 нКл | 72 А | TO-247-3 | Под заказ | 5 087.60 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM170045W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM170045W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 45 мОм; Qrr: 220 нКл; I d: 72 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
от 1 шт.
5 087.60 руб./шт.
|
||||||||
Reasunos | N-Channel | 650 В | 30 мОм | 100 нКл | 55 А | TO-247-3 | Под заказ | 1 217.06 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM065030W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM065030W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 30 мОм; Qrr: 100 нКл; I d: 55 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 217.06 руб./шт.
|
||||||||
SuncoYJ | - | 1200 В | 80 мОм | - | 39 А | TO247-4L | Под заказ | 884.06 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212080NCFG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212080NCFG1; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; I d: 39 А; Корпус: TO247-4L
Добавить в избранное
Под заказ
1800 Штук в Пенале
от 1 шт.
884.06 руб./шт.
|
||||||||
SuncoYJ | - | 1200 В | 80 мОм | - | 38 А | TO247AB | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212080NCTG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212080NCTG1; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; I d: 38 А; Корпус: TO247AB
Добавить в избранное
Под заказ
1800 Штук в Пенале
|
||||||||
Reasunos | N-Channel | 1200 В | 160 мОм | 50 нКл | 18 А | TO-247-3 | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120160W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120160W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 160 мОм; Qrr: 50 нКл; I d: 18 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
Reasunos | N-Channel | 1700 В | 1000 мОм | 15 нКл | 5 А | TO-247-3 | Под заказ | 296.59 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM1701K0W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM1701K0W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; Qrr: 15 нКл; I d: 5 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
296.59 руб./шт.
|
||||||||
SuncoYJ | - | 1200 В | 40 мОм | - | 63 А | TO247AB | Под заказ | 495.55 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCTG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212040NCTG1; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; I d: 63 А; Корпус: TO247AB
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
495.55 руб./шт.
|
||||||||
SuncoYJ | - | 1200 В | 40 мОм | - | 63 А | TO-247-4L | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCFG SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212040NCFG; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; I d: 63 А; Корпус: TO-247-4L
Добавить в избранное
Под заказ
1800 Штук в Пенале
|
||||||||
SuncoYJ | - | 1200 В | 40 мОм | - | 63 А | TO-247-4L | Под заказ | 1 055.60 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCFG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212040NCFG1; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; I d: 63 А; Корпус: TO-247-4L
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 055.60 руб./шт.
|
||||||||
Infineon | N-Channel | 1200 В | 44 мОм | 59 нКл | 52 А | TO-247 | Под заказ | 0 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор AIMW120R035M1H ТО-247 1200 В 52 А 35 мОм SP005417579 INF
Полная карточка товара
SiC транзистор AIMW120R035M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 44 мОм; Qrr: 59 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
20 Штук в Пенале
|
||||||||
Reasunos | N-Channel | 1200 В | 25 мОм | 320 нКл | 90 А | TO-247-3 | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120025Z Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120025Z; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 320 нКл; I d: 90 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
540 Штук в Пенале
|
||||||||
SuncoYJ | - | 1700 В | 45 мОм | - | 55 А | TO247-4L | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD217045NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD217045NCFGH; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 45 мОм; I d: 55 А; Корпус: TO247-4L
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
SuncoYJ | - | 1200 В | 60 мОм | - | 44,5 А | TO247AB | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212060NCTGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212060NCTGH; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; I d: 44,5 А; Корпус: TO247AB
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
||||||||
SuncoYJ | - | 1200 В | 40 мОм | - | 62 А | TO-247-4L | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212040NCFGH; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; I d: 62 А; Корпус: TO-247-4L
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
||||||||
SuncoYJ | - | 1200 В | 60 мОм | - | 44,5 А | TO247-4L | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212060NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212060NCFGH; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; I d: 44,5 А; Корпус: TO247-4L
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
||||||||
SuncoYJ | - | 650 В | 25 мОм | - | 107 А | TO-247-4L | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD206525NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD206525NCFGH; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 25 мОм; I d: 107 А; Корпус: TO-247-4L
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
||||||||
SuncoYJ | - | 650 В | 25 мОм | - | 107 А | TO247AB | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD206525NCTGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD206525NCTGH; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 25 мОм; I d: 107 А; Корпус: TO247AB
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
||||||||
SuncoYJ | - | - | - | - | - | - | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
MC20UZ12ST SuncoYJ
Под заказ
12 Штук в Пенале
|
||||||||
Leapers | - | - | - | - | - | - | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
DFS10HF12EYA2 Leapers
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
SuncoYJ | - | - | - | - | - | - | Под заказ | - |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212060B7GH SuncoYJ
Под заказ
1000 Штук в Катушке
|
- Назад
- 1
- Вперед
- на стр.