IMW120R045M1XKSA1 |
IMZ120R045M1XKSA1 |
IMW120R350M1HXKSA1 |
IMW120R220M1HXKSA1 |
IMW120R140M1HXKSA1 |
IMW120R090M1HXKSA1 |
IMW120R060M1HXKSA1 |
IMW120R030M1HXKSA1 |
IMZ120R030M1HXKSA1 |
IMW65R027M1HXKSA1 |
IMZ120R060M1HXKSA1 |
IMBF170R650M1XTMA1 |
IMBF170R1K0M1XTMA1 |
IMW65R048M1HXKSA1 |
IMW65R107M1HXKSA1 |
IMW65R072M1HXKSA1 |
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 59 мОм, 52 нКл, 52А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-3 | В наличии | 1 284.85 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
В наличии 75 штук
30 штук в пенале
от 1 шт.
1 433.12 руб./шт.
от 10 шт.
1 383.67 руб./шт.
от 100 шт.
1 334.22 руб./шт.
от 240 шт.
1 284.85 руб./шт.
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 59 мОм, 52 нКл, 52А, TO-247-4 | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-4 | Нет в наличии | 1 476.16 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
1 589.70 руб./шт.
от 240 шт.
1 476.16 руб./шт.
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 455 мОм, 5.3 нКл, 4.7А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 455 мОм | 5.3 нКл | 4.7 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 440.58 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
474.48 руб./шт.
от 240 шт.
440.58 руб./шт.
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 286 мОм, 8.5 нКл, 13А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 286 мОм | 8.5 нКл | 13 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 508.15 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
30 штук в пенале
от 1 шт.
547.25 руб./шт.
от 240 шт.
508.15 руб./шт.
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 182 мОм, 13 нКл, 19А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 182 мОм | 13 нКл | 19 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 594.73 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
240 штук в пенале
от 1 шт.
640.48 руб./шт.
от 240 шт.
594.73 руб./шт.
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 117 мОм, 21 нКл, 26А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 117 мОм | 21 нКл | 26 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 723.50 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
240 штук в пенале
от 1 шт.
779.16 руб./шт.
от 240 шт.
723.50 руб./шт.
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 78 мОм, 31 нКл, 36А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 78 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 942.48 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
8 штук в коробке
от 1 шт.
1 014.98 руб./шт.
от 240 шт.
942.48 руб./шт.
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 40 мОм, 63 нКл, 56А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 1 596.67 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
1 719.50 руб./шт.
от 240 шт.
1 596.67 руб./шт.
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 40 мОм, 63 нКл, 56А, TO-247-4 | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-4 | Нет в наличии | 1 637.03 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
1 762.96 руб./шт.
от 240 шт.
1 637.03 руб./шт.
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 650В, 27 мОм, 62 нКл, 47А, TO-247-3 | N-Channel | 650 В | 27 мОм | 62 нКл | 47 А | TO-247-3 | Нет в наличии | |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
Поштучная продажа
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 60 мОм, 31 нКл, 36А, TO-247-4 | N-Channel | 1200 В | 60 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-4 | Нет в наличии | |
Нет в наличии
Поштучная продажа
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1700В, 650 мОм, 8 нКл, 7.4А, PG-TO263-7 | N-Channel | 1700 В | 650 мОм | 8 нКл | 7.4 А | PG-TO263-7 | Нет в наличии | |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Нет в наличии
15 штук в коробке
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1700В, 1000 мОм, 5 нКл, 5.2А, PG-TO263-7 | N-Channel | 1700 В | 1000 мОм | 5 нКл | 5.2 А | PG-TO263-7 | Нет в наличии | |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Нет в наличии
15 штук в коробке
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор N-Channel, 650В, 48 мОм, 33 нКл, 24А, TO-247AC | N-Channel | 650 В | 48 мОм | 33 нКл | 24 А | TO-247AC | Нет в наличии | |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
Поштучная продажа
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор | Нет в наличии | |||||||
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
Поштучная продажа
|
|||||||||
Infineon | SiC транзистор | Нет в наличии | |||||||
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon
Нет в наличии
Поштучная продажа
|
- Назад
- 1
- Вперед
- на стр.