| IMZ120R045M1XKSA1 |
| IMW120R045M1XKSA1 |
| IMW120R350M1HXKSA1 |
| IMW120R220M1HXKSA1 |
| IMW120R140M1HXKSA1 |
| IMW120R090M1HXKSA1 |
| IMW120R060M1HXKSA1 |
| IMW120R030M1HXKSA1 |
| IMZ120R030M1HXKSA1 |
| IMW65R027M1HXKSA1 |
| IMZ120R060M1HXKSA1 |
| IMBF170R650M1XTMA1 |
| IMBF170R1K0M1XTMA1 |
| IMW65R048M1HXKSA1 |
| IMW65R107M1HXKSA1 |
| IMW65R072M1HXKSA1 |
| IMBG120R060M1HXTMA1 |
| IMBG120R090M1HXTMA1 |
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
| IMBG120R350M1H |
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 59 мОм, 52 нКл, 52А, TO-247-4 | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-4 | Нет в наличии | 940.21 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 59 мОм; Q g: 52 нКл; I d: 52А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
977.83 руб./шт.
от 240 шт.
940.21 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 59 мОм, 52 нКл, 52А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 905.65 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 59 мОм; Q g: 52 нКл; I d: 52А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии
30 штук в пенале
от 1 шт.
941.87 руб./шт.
от 10 шт.
1 356.74 руб./шт.
от 100 шт.
1 308.25 руб./шт.
от 240 шт.
905.65 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 455 мОм, 5.3 нКл, 4.7А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 455 мОм | 5.3 нКл | 4.7 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 327.44 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 455 мОм; Q g: 5.3 нКл; I d: 4.7А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
340.54 руб./шт.
от 240 шт.
327.44 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 286 мОм, 8.5 нКл, 13А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 286 мОм | 8.5 нКл | 13 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 354.54 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 286 мОм; Q g: 8.5 нКл; I d: 13А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии
30 штук в пенале
от 1 шт.
368.72 руб./шт.
от 240 шт.
354.54 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 182 мОм, 13 нКл, 19А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 182 мОм | 13 нКл | 19 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 397 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 182 мОм; Q g: 13 нКл; I d: 19А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии
240 штук в пенале
от 1 шт.
412.87 руб./шт.
от 240 шт.
397 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 117 мОм, 21 нКл, 26А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 117 мОм | 21 нКл | 26 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 499.80 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 117 мОм; Q g: 21 нКл; I d: 26А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии
240 штук в пенале
от 1 шт.
519.79 руб./шт.
от 240 шт.
499.80 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 78 мОм, 31 нКл, 36А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 78 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 637.94 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 78 мОм; Q g: 31 нКл; I d: 36А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии
8 штук в коробке
от 1 шт.
663.47 руб./шт.
от 240 шт.
637.94 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 40 мОм, 63 нКл, 56А, TO-247-3 | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 1 170.86 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 40 мОм; Q g: 63 нКл; I d: 56А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии
240 штук в пенале
от 1 шт.
1 217.69 руб./шт.
от 240 шт.
1 170.86 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 40 мОм, 63 нКл, 56А, TO-247-4 | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-4 | Нет в наличии | 1 234.69 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 40 мОм; Q g: 63 нКл; I d: 56А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
1 284.07 руб./шт.
от 240 шт.
1 234.69 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 650В, 27 мОм, 62 нКл, 47А, TO-247-3 | N-Channel | 650 В | 27 мОм | 62 нКл | 47 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 1 399.09 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650В; Rds(on): 27 мОм; Q g: 62 нКл; I d: 47А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
1 455.05 руб./шт.
от 240 шт.
1 399.09 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1200В, 60 мОм, 31 нКл, 36А, TO-247-4 | N-Channel | 1200 В | 60 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-4 | Нет в наличии | 699.29 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200В; Rds(on): 60 мОм; Q g: 31 нКл; I d: 36А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
727.26 руб./шт.
от 240 шт.
699.29 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1700В, 650 мОм, 8 нКл, 7.4А, PG-TO263-7 | N-Channel | 1700 В | 650 мОм | 8 нКл | 7.4 А | PG-TO263-7 | Нет в наличии | 301.92 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700В; Rds(on): 650 мОм; Q g: 8 нКл; I d: 7.4А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Нет в наличии
15 штук в коробке
от 1 шт.
313.99 руб./шт.
от 1000 шт.
301.92 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 1700В, 1000 мОм, 5 нКл, 5.2А, PG-TO263-7 | N-Channel | 1700 В | 1000 мОм | 5 нКл | 5.2 А | PG-TO263-7 | Нет в наличии | 251.59 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700В; Rds(on): 1000 мОм; Q g: 5 нКл; I d: 5.2А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Нет в наличии
15 штук в коробке
от 1 шт.
261.65 руб./шт.
от 1000 шт.
251.59 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 650В, 48 мОм, 33 нКл, 24А, TO-247AC | N-Channel | 650 В | 48 мОм | 33 нКл | 24 А | TO-247AC | Нет в наличии | 845.28 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650В; Rds(on): 48 мОм; Q g: 33 нКл; I d: 24А; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
879.08 руб./шт.
от 240 шт.
845.28 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 650В, 107 мОм, 15 нКл, 20А, TO-247-3 | N-Channel | 650 В | 107 мОм | 15 нКл | 20 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 503.65 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650В; Rds(on): 107 мОм; Q g: 15 нКл; I d: 20А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
523.80 руб./шт.
от 240 шт.
503.65 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор N-Channel, 650В, 72 мОм, 22 нКл, 26А, TO-247-3 | N-Channel | 650 В | 72 мОм | 22 нКл | 26 А | TO-247-3 | Нет в наличии | 637.40 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650В; Rds(on): 72 мОм; Q g: 22 нКл; I d: 26А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
662.90 руб./шт.
от 240 шт.
637.40 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор | Нет в наличии | 872.20 руб./шт. | ||||||
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: ; V(br)dss: ; Rds(on): ; Q g: ; I d: ; Корпус:
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
907.08 руб./шт.
от 1000 шт.
872.20 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор | Нет в наличии | 680.23 руб./шт. | ||||||
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: ; V(br)dss: ; Rds(on): ; Q g: ; I d: ; Корпус:
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт.
707.45 руб./шт.
от 1000 шт.
680.23 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор | Нет в наличии | 568.42 руб./шт. | ||||||
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: ; V(br)dss: ; Rds(on): ; Q g: ; I d: ; Корпус:
Добавить в избранное
Нет в наличии
6 штук в коробке
от 1 шт.
591.14 руб./шт.
от 1000 шт.
568.42 руб./шт.
|
|||||||||
| Infineon | SiC транзистор | Нет в наличии | |||||||
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R350M1H Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор Полярность: ; V(br)dss: ; Rds(on): ; Q g: ; I d: ; Корпус:
Добавить в избранное
Нет в наличии
Поштучная продажа
|
|||||||||
- Назад
- 1
- Вперед
- на стр.