| RSM120040W |
| RSM120080W |
| RSM170045W |
| RSM065030W |
| RSM1701K0W |
| YJD212040NCFG1 |
| P3M17040K4 |
| P3M12025K4 |
| P3M12025K3 |
| YJD217045NCFGH |
| YJD212040NCFGH |
| YJD212060NCFGH |
| IMZ120R045M1XKSA1 |
| IMW120R045M1XKSA1 |
| IMW120R350M1HXKSA1 |
| IMW120R220M1HXKSA1 |
| IMW120R140M1HXKSA1 |
| IMW120R090M1HXKSA1 |
| IMW120R060M1HXKSA1 |
| IMW120R030M1HXKSA1 |
| IMZ120R030M1HXKSA1 |
| IMW65R027M1HXKSA1 |
| IMZ120R060M1HXKSA1 |
| IMBF170R650M1XTMA1 |
| IMBF170R1K0M1XTMA1 |
| IMW65R048M1HXKSA1 |
| IMW65R107M1HXKSA1 |
| IMW65R072M1HXKSA1 |
| IMBG120R060M1HXTMA1 |
| IMBG120R090M1HXTMA1 |
| IMBG120R140M1HXTMA1 |
| IMBG120R350M1H |
| IMBG120R220M1HXTMA1 |
| G1M080120BM |
| IV1Q12050T3 |
| YJD212080NCFG1 |
| YJD212080NCTG1 |
| RSM120160W |
| YJD212040NCTG1 |
| YJD212040NCFG |
| DCC025M120G1 |
| IV1Q12030T4G |
| AIMW120R035M1HXKSA1 |
| RSM120025Z |
| YJD212060NCTGH |
| YJD206525NCFGH |
| YJD206525NCTGH |
| NTH4L028N170M1 |
| MC20UZ12ST |
| YJD212060B7GH |
| Reasunos | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 109 нКл | 68 А | TO-247-3 | В наличии | 1 247.51 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120040W Reasunos
Полная карточка товара
RSM120040W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 109 нКл; I d: 68 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
В наличии 36 Штук
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 247.51 руб./шт.
|
||||||||
| Reasunos | N-Channel | 1200 В | 80 мОм | 80 нКл | 28 А | TO-247-3 | В наличии | 703.64 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120080W Reasunos
Полная карточка товара
RSM120080W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 80 нКл; I d: 28 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
В наличии 35 Штук
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
703.64 руб./шт.
|
||||||||
| Reasunos | N-Channel | 1700 В | 45 мОм | 220 нКл | 72 А | TO-247-3 | В наличии | 3 337.32 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM170045W Reasunos
Полная карточка товара
RSM170045W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 45 мОм; Qrr: 220 нКл; I d: 72 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
В наличии 6 Штук
1 Штука в Пенале
от 1 шт.
3 337.32 руб./шт.
1 Пенал
|
||||||||
| Reasunos | N-Channel | 650 В | 30 мОм | 100 нКл | 55 А | TO-247-3 | В наличии | 982.48 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM065030W Reasunos
Полная карточка товара
RSM065030W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 30 мОм; Qrr: 100 нКл; I d: 55 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
В наличии 36 Штук
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
982.48 руб./шт.
|
||||||||
| Reasunos | N-Channel | 1700 В | 1000 мОм | 15 нКл | 5 А | TO-247-3 | В наличии | 279.49 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM1701K0W Reasunos
Полная карточка товара
RSM1701K0W Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; Qrr: 15 нКл; I d: 5 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
В наличии 46 Штук
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
279.49 руб./шт.
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 120 нКл | 63 А | TO-247-4L | В наличии | 991.64 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCFG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
YJD212040NCFG1 SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 120 нКл; I d: 63 А; Корпус: TO-247-4L
Добавить в избранное
В наличии 10 Штук
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
991.64 руб./шт.
|
||||||||
| PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD | N-Channel | 1700 В | 40 мОм | 77,9 нКл | 73 А | TO-247-4 | В наличии | 7 367.26 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
P3M17040K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Полная карточка товара
P3M17040K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 77,9 нКл; I d: 73 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
В наличии 10 Штук
Поштучная продажа
от 1 шт.
7 367.26 руб./шт.
1
|
||||||||
| PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD | N-Channel | 1200 В | 25 мОм | 174 нКл | 78 А | TO-247-4 | В наличии | 2 213.52 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
P3M12025K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Полная карточка товара
P3M12025K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 174 нКл; I d: 78 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
В наличии 2 Штуки
Поштучная продажа
от 1 шт.
2 213.52 руб./шт.
1
|
||||||||
| PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD | N-Channel | 1200 В | 25 мОм | 172 нКл | 80 А | TO-247-3 | В наличии | 2 213.52 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
P3M12025K3 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Полная карточка товара
P3M12025K3 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 172 нКл; I d: 80 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
В наличии 20 Штук
Поштучная продажа
от 1 шт.
2 213.52 руб./шт.
1
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1700 В | 45 мОм | 304 нКл | 55 А | TO247-4L | В наличии | 3 614.48 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD217045NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
YJD217045NCFGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 45 мОм; Qrr: 304 нКл; I d: 55 А; Корпус: TO247-4L
Добавить в избранное
В наличии 14 Штук
Поштучная продажа
от 1 шт.
3 614.48 руб./шт.
1
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 229 нКл | 62 А | TO-247-4L | В наличии | 994.24 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
YJD212040NCFGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 229 нКл; I d: 62 А; Корпус: TO-247-4L
Добавить в избранное
В наличии 14 Штук
1 Штука в Пенале
от 1 шт.
994.24 руб./шт.
1 Пенал
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1200 В | 60 мОм | 129 нКл | 44.5 А | TO247-4L | В наличии | 666.23 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212060NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
YJD212060NCFGH SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 129 нКл; I d: 44.5 А; Корпус: TO247-4L
Добавить в избранное
В наличии 14 Штук
1 Штука в Пенале
от 1 шт.
666.23 руб./шт.
1 Пенал
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-4 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Qrr: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 59 мОм | 52 нКл | 52 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW120R045M1XKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Qrr: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 455 мОм | 5.3 нКл | 4.7 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 455 мОм; Qrr: 5.3 нКл; I d: 4.7 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 286 мОм | 8.5 нКл | 13 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 286 мОм; Qrr: 8.5 нКл; I d: 13 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 182 мОм | 13 нКл | 19 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 182 мОм; Qrr: 13 нКл; I d: 19 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 117 мОм | 21 нКл | 26 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 117 мОм; Qrr: 21 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 78 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 78 мОм; Qrr: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
8 Штук в Коробке
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 63 нКл | 56 А | TO-247-4 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 27 мОм | 62 нКл | 47 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 27 мОм; Qrr: 62 нКл; I d: 47 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 60 мОм | 31 нКл | 36 А | TO-247-4 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1700 В | 650 мОм | 8 нКл | 7.4 А | PG-TO263-7 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 650 мОм; Qrr: 8 нКл; I d: 7.4 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ
15 Штук в Коробке
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1700 В | 1000 мОм | 5 нКл | 5.2 А | PG-TO263-7 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; Qrr: 5 нКл; I d: 5.2 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ
15 Штук в Коробке
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 48 мОм | 33 нКл | 24 А | TO-247AC | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 48 мОм; Qrr: 33 нКл; I d: 24 А; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 107 мОм | 15 нКл | 20 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 107 мОм; Qrr: 15 нКл; I d: 20 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 650 В | 72 мОм | 22 нКл | 26 А | TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 72 мОм; Qrr: 22 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 83 мОм | 34 нКл | 36 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 83 мОм; Qrr: 34 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 125 мОм | 23 нКл | 26 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 125 мОм; Qrr: 23 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 189 мОм | 13.4 нКл | 18 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 189 мОм; Qrr: 13.4 нКл; I d: 18 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
6 Штук в Коробке
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 468 мОм | 5.9 нКл | 4.7 А | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R350M1H Infineon
Полная карточка товара
IMBG120R350M1H Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 468 мОм; Qrr: 5.9 нКл; I d: 4.7 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 35 мОм | 59 нКл | 52 А | TO-247 | Под заказ | 518.40 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 35 мОм; Qrr: 59 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
1000 Штук в Катушке
от 1 шт.
518.40 руб./шт.
|
||||||||
| Global Power Technology | N-Channel | 1200 В | 80 мОм | 46 нКл | 40 А | TO-247 | Под заказ | 2 082.60 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
G1M080120BM Global Power Technology
Полная карточка товара
G1M080120BM Global Power Technology, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 46 нКл; I d: 40 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
от 1 шт.
2 082.60 руб./шт.
|
||||||||
| InventChip Technology Co., Ltd | N-Channel | 1200 В | 50 мОм | 120 нКл | 43 А | TO-247-3 | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IV1Q12050T3 InventChip Technology Co., Ltd
Полная карточка товара
IV1Q12050T3 InventChip Technology Co., Ltd, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 50 мОм; Qrr: 120 нКл; I d: 43 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1200 В | 80 мОм | 41 нКл | 39 А | TO247-4L | Под заказ | 775.19 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212080NCFG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
YJD212080NCFG1 SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 41 нКл; I d: 39 А; Корпус: TO247-4L
Добавить в избранное
Под заказ
1800 Штук в Пенале
от 1 шт.
775.19 руб./шт.
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1200 В | 80 мОм | 41 нКл | 38 А | TO247AB | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор YJD212080NCTG1 YJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212080NCTG1 YJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 41 нКл; I d: 38 А; Корпус: TO247AB
Добавить в избранное
Под заказ
1800 Штук в Пенале
|
||||||||
| Reasunos | N-Channel | 1200 В | 160 мОм | 50 нКл | 18 А | TO-247-3 | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120160W
Полная карточка товара
RSM120160W, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 160 мОм; Qrr: 50 нКл; I d: 18 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 120 нКл | 63 А | TO247AB | Под заказ | 495.55 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCTG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
YJD212040NCTG1 SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 120 нКл; I d: 63 А; Корпус: TO247AB
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
495.55 руб./шт.
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1200 В | 40 мОм | 229 нКл | 63 А | TO-247-4L | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCFG SuncoYJ
Полная карточка товара
YJD212040NCFG SuncoYJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 229 нКл; I d: 63 А; Корпус: TO-247-4L
Добавить в избранное
Под заказ
1800 Штук в Пенале
|
||||||||
| WXDH Electronics | N-Channel | 1200 В | 25 мОм | 195 нКл | 43 А | TO-247 | Под заказ | 4 455.35 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
DCC025M120G1 WXDH Electronics
Полная карточка товара
DCC025M120G1 WXDH Electronics, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 195 нКл; I d: 43 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт.
5 792.11 руб./шт.
от 50 шт.
5 123.74 руб./шт.
от 240 шт.
4 455.35 руб./шт.
|
||||||||
| InventChip Technology Co., Ltd | N-Channel | 1200 В | 30 мОм | 168 нКл | 79 А | TO-247-4 | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IV1Q12030T4G InventChip Technology Co., Ltd
Полная карточка товара
IV1Q12030T4G InventChip Technology Co., Ltd, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 30 мОм; Qrr: 168 нКл; I d: 79 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | N-Channel | 1200 В | 44 мОм | 59 нКл | 52 А | TO-247 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
AIMW120R035M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
AIMW120R035M1HXKSA1 Infineon, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 44 мОм; Qrr: 59 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
20 Штук в Пенале
|
||||||||
| Reasunos | N-Channel | 1200 В | 25 мОм | 320 нКл | 90 А | TO-247-3 | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120025Z Reasunos
Полная карточка товара
RSM120025Z Reasunos, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 320 нКл; I d: 90 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
540 Штук в Пенале
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1200 В | 60 мОм | 129 нКл | 44.5 А | TO247AB | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор YJD212060NCTGH YJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212060NCTGH YJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 129 нКл; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 650 В | 25 мОм | 275 нКл | 107 А | TO-247-4L | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор YJD206525NCFGH YJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD206525NCFGH YJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 275 нКл; I d: 107 А; Корпус: TO-247-4L
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 650 В | 25 мОм | 275 нКл | 107 А | TO247AB | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
SiC транзистор YJD206525NCTGH YJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD206525NCTGH YJ, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 275 нКл; I d: 107 А; Корпус: TO247AB
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
||||||||
| ON Semiconductor | N-Channel | 1700 В | 40 мОм | 200 нКл | 81 А | TO-247-4 | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
NTH4L028N170M1 ON Semiconductor
Полная карточка товара
NTH4L028N170M1 ON Semiconductor, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 200 нКл; I d: 81 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1200 В | 22 мОм | 463 нКл | 91 А | SOT-227 | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
MC20UZ12ST
Полная карточка товара
MC20UZ12ST, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 22 мОм; Qrr: 463 нКл; I d: 91 А; Корпус: SOT-227
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
|
||||||||
| SuncoYJ | N-Channel | 1200 В | 60 мОм | 129 нКл | 42 А | TO-263-7L | Под заказ | - |
|
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212060B7GH
Полная карточка товара
YJD212060B7GH, Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 129 нКл; I d: 42 А; Корпус: TO-263-7L
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||