Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
RSM120040W Reasunos
Производитель
Серия
Документы (Datasheet)
Спецификация:
SiC транзистор RSM120040W, производителя Reasunos
Ключевые параметры компонента RSM120040W: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 109 нКл; I d: 68 А; Корпус: TO-247-3.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Reasunos в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
кратность 1
от 1 шт
1 111.12 руб./шт
от 1111.12 /шт
В наличии
33 шт
В упаковке:
30
Тип упаковки:
Пенал
Производитель
Серия
Документы (Datasheet)
Спецификация:
SiC транзистор RSM120040W, производителя Reasunos
Ключевые параметры компонента RSM120040W: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 109 нКл; I d: 68 А; Корпус: TO-247-3.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Reasunos в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Основные характеристики
I d
V(br)dss
Rds(on)
Корпус
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Qrr