- Артикул: 00420131
- Количество в упаковке: 20
IMBG120R350M1H Infineon
Краткое описание
Код товара у производителя: IMBG120R350M1H
Производитель: Infineon
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IMBG120R350M1H
Наименование класса номенклатуры
SiC транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
468 мОм
Qrr
(заряд затвора)
5.9 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
4.7 А
Тип монтажа
Surface Mount
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Емкость
(Электрическая ёмкость)
196 пФ
Размеры
Корпус
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Типоразмер
PG-TO263-7-12
Упаковка
Количество в упаковке
20
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.22 МБ
SiC транзистор IMBG120R350M1H, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IMBG120R350M1H: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 468 мОм; Qrr: 5.9 нКл; I d: 4.7 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IMBG120R350M1H: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 468 мОм; Qrr: 5.9 нКл; I d: 4.7 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.