- Артикул: 00412706
- Количество в упаковке: 15
- Стандартная упаковка: Коробка
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
SiC транзистор N-Channel, 1700В, 650 мОм, 8 нКл, 7.4А, PG-TO263-7
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IMBF170R650M1XTMA1
Серия товаров
SiC MOSFET
Наименование класса номенклатуры
SiC транзистор
OPN
SP002739686
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1700 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
650 мОм
Qrr
(заряд затвора)
8 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
7.4 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
PG-TO263-7
Упаковка
Количество в упаковке
15
Упаковка
(стандартная)
Коробка
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.2 МБ
SiC транзистор IMBF170R650M1XTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IMBF170R650M1XTMA1: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 650 мОм; Qrr: 8 нКл; I d: 7.4 А; Корпус: PG-TO263-7.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IMBF170R650M1XTMA1: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 650 мОм; Qrr: 8 нКл; I d: 7.4 А; Корпус: PG-TO263-7.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.