- Артикул: 00412291
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
SiC транзистор N-Channel, 1200В, 60 мОм, 31 нКл, 36А, TO-247-4
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IMZ120R060M1HXKSA1
Серия товаров
SiC MOSFET
Наименование класса номенклатуры
SiC транзистор
OPN
SP001808370
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
60 мОм
Qrr
(заряд затвора)
31 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
36 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247-4
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.2 МБ
SiC транзистор IMZ120R060M1HXKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IMZ120R060M1HXKSA1: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IMZ120R060M1HXKSA1: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.