- Артикул: 00401998
- Количество в упаковке: 240
- Стандартная упаковка: Пенал
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
SiC транзистор N-Channel, 1200В, 117 мОм, 21 нКл, 26А, TO-247-3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IMW120R090M1HXKSA1
Серия товаров
SiC MOSFET
Наименование класса номенклатуры
SiC транзистор
OPN
SP001946164
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
117 мОм
Qrr
(заряд затвора)
21 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
26 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247-3
Упаковка
Количество в упаковке
240
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
1.1 МБ
pdf
1.1 МБ
SiC транзистор IMW120R090M1HXKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IMW120R090M1HXKSA1: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 117 мОм; Qrr: 21 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IMW120R090M1HXKSA1: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 117 мОм; Qrr: 21 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.