P3M12025K4 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Производитель
PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Серия
Документы (Datasheet)
Спецификация:
SiC транзистор P3M12025K4, производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Ключевые параметры компонента P3M12025K4: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 174 нКл; I d: 78 А; Корпус: TO-247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента P3M12025K4: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 174 нКл; I d: 78 А; Корпус: TO-247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Читать подробнее
кратность 1
от 1 шт
2 062.36 руб./шт
от 2062.36
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 2062.36/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
2 062.36 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
1 шт
В упаковке:
1
Тип упаковки:
Россыпь
Производитель
PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Серия
Документы (Datasheet)
Спецификация:
SiC транзистор P3M12025K4, производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Ключевые параметры компонента P3M12025K4: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 174 нКл; I d: 78 А; Корпус: TO-247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента P3M12025K4: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 174 нКл; I d: 78 А; Корпус: TO-247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Читать подробнее
Основные характеристики
