Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы

Удалить все фильтры
Производитель
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Q g
I d
Корпус
image/svg+xml
Код товара производителя
IMZ120R045M1XKSA1
IMW120R045M1XKSA1
IMW120R350M1HXKSA1
IMW120R220M1HXKSA1
IMW120R140M1HXKSA1
IMW120R090M1HXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1
IMW65R027M1HXKSA1
IMZ120R060M1HXKSA1
IMBF170R650M1XTMA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
IMW65R048M1HXKSA1
IMW65R107M1HXKSA1
IMW65R072M1HXKSA1
IMBG120R060M1HXTMA1
IMBG120R090M1HXTMA1
IMBG120R140M1HXTMA1
IMBG120R350M1H
Производитель
Описание
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Q g
I d
Корпус
Наличие
Цена от
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 59 мОм, 52 нКл, 52 А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-4 Нет в наличии 968.80 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 59 мОм, 52 нКл, 52 А, TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 007.54 руб./шт.
от 240 шт. 968.80 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 59 мОм, 52 нКл, 52 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-3 Нет в наличии 950.10 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 59 мОм, 52 нКл, 52 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 30 штук в пенале
от 1 шт. 988.10 руб./шт.
от 240 шт. 950.10 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 455 мОм, 5.3 нКл, 4.7 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 455 мОм 5.3 нКл 4.7 А TO-247-3 Нет в наличии 340.36 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 455 мОм, 5.3 нКл, 4.7 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 353.98 руб./шт.
от 240 шт. 340.36 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 286 мОм, 8.5 нКл, 13 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 286 мОм 8.5 нКл 13 А TO-247-3 Нет в наличии 369.29 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 286 мОм, 8.5 нКл, 13 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 30 штук в пенале
от 1 шт. 384.06 руб./шт.
от 240 шт. 369.29 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 182 мОм, 13 нКл, 19 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 182 мОм 13 нКл 19 А TO-247-3 Нет в наличии 413.53 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 182 мОм, 13 нКл, 19 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 430.08 руб./шт.
от 240 шт. 413.53 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 117 мОм, 21 нКл, 26 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 117 мОм 21 нКл 26 А TO-247-3 Нет в наличии 527.56 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 117 мОм, 21 нКл, 26 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 548.66 руб./шт.
от 240 шт. 527.56 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 78 мОм, 31 нКл, 36 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 78 мОм 31 нКл 36 А TO-247-3 Нет в наличии 670.51 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 78 мОм, 31 нКл, 36 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 8 штук в коробке
от 1 шт. 697.33 руб./шт.
от 240 шт. 670.51 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 40 мОм, 63 нКл, 56 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-3 Нет в наличии 1 226.99 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 40 мОм, 63 нКл, 56 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 1 276.07 руб./шт.
от 240 шт. 1 226.99 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 40 мОм, 63 нКл, 56 А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-4 Нет в наличии 1 303.57 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 40 мОм, 63 нКл, 56 А, TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 355.71 руб./шт.
от 240 шт. 1 303.57 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650 В, 27 мОм, 62 нКл, 47 А, TO-247-3 N-Channel 650 В 27 мОм 62 нКл 47 А TO-247-3 Нет в наличии 1 397.82 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 650 В, 27 мОм, 62 нКл, 47 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 453.73 руб./шт.
от 240 шт. 1 397.82 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 60 мОм, 31 нКл, 36 А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 60 мОм 31 нКл 36 А TO-247-4 Нет в наличии 721.56 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 60 мОм, 31 нКл, 36 А, TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 750.42 руб./шт.
от 240 шт. 721.56 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1700 В, 650 мОм, 8 нКл, 7.4 А, PG-TO263-7 N-Channel 1700 В 650 мОм 8 нКл 7.4 А PG-TO263-7 Нет в наличии 293.94 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1700 В, 650 мОм, 8 нКл, 7.4 А, PG-TO263-7
Добавить в избранное
Нет в наличии 15 штук в коробке
от 1 шт. 305.71 руб./шт.
от 1000 шт. 293.94 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1700 В, 1000 мОм, 5 нКл, 5.2 А, PG-TO263-7 N-Channel 1700 В 1000 мОм 5 нКл 5.2 А PG-TO263-7 Нет в наличии 242.96 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1700 В, 1000 мОм, 5 нКл, 5.2 А, PG-TO263-7
Добавить в избранное
Нет в наличии 15 штук в коробке
от 1 шт. 252.67 руб./шт.
от 1000 шт. 242.96 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650 В, 48 мОм, 33 нКл, 24 А, TO-247AC N-Channel 650 В 48 мОм 33 нКл 24 А TO-247AC Нет в наличии 844.51 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 650 В, 48 мОм, 33 нКл, 24 А, TO-247AC
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 878.29 руб./шт.
от 240 шт. 844.51 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650 В, 107 мОм, 15 нКл, 20 А, TO-247-3 N-Channel 650 В 107 мОм 15 нКл 20 А TO-247-3 Нет в наличии 503.20 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 650 В, 107 мОм, 15 нКл, 20 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 523.32 руб./шт.
от 240 шт. 503.20 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650 В, 72 мОм, 22 нКл, 26 А, TO-247-3 N-Channel 650 В 72 мОм 22 нКл 26 А TO-247-3 Нет в наличии 636.82 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 650 В, 72 мОм, 22 нКл, 26 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 662.30 руб./шт.
от 240 шт. 636.82 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 83 мОм, 34 нКл , 36 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA N-Channel 1.2 кВ 83 мОм 34 нКл 36 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Нет в наличии 764.47 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 83 мОм, 34 нКл , 36 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 795.05 руб./шт.
от 1000 шт. 764.47 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 125 мОм, 23 нКл , 26 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA N-Channel 1.2 кВ 125 мОм 23 нКл 26 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Нет в наличии 609.13 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 125 мОм, 23 нКл , 26 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 633.49 руб./шт.
от 1000 шт. 609.13 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 189 мОм, 13.4 нКл , 18 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA N-Channel 1.2 кВ 189 мОм 13.4 нКл 18 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Нет в наличии 480.56 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 189 мОм, 13.4 нКл , 18 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Нет в наличии 6 штук в коробке
от 1 шт. 499.78 руб./шт.
от 1000 шт. 480.56 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 468 мОм, 5.9 нКл , 4.7 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA N-Channel 1.2 кВ 468 мОм 5.9 нКл 4.7 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Нет в наличии -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R350M1H Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 468 мОм, 5.9 нКл , 4.7 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
  • Назад
  • 1
  • Вперед
    • 50
    • 150
    • 250
Для комфортного просмотра контента на мобильном устройстве, приведите устройство в горизонтальное положение