Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы

Удалить все фильтры
Производитель
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Q g
I d
Корпус
image/svg+xml
Код товара производителя
IMZ120R045M1XKSA1
IMW120R045M1XKSA1
IMW120R350M1HXKSA1
IMW120R220M1HXKSA1
IMW120R140M1HXKSA1
IMW120R090M1HXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1
IMW65R027M1HXKSA1
IMZ120R060M1HXKSA1
IMBF170R650M1XTMA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
IMW65R048M1HXKSA1
Производитель
Описание
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Q g
I d
Корпус
Наличие
Цена от
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 59 мОм, 52 нКл, 52А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-4 Нет в наличии 1 516.22 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 632.85 руб./шт.
от 240 шт. 1 516.22 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 59 мОм, 52 нКл, 52А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-3 Нет в наличии 1 319.72 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии 30 штук в пенале
от 1 шт. 1 472.03 руб./шт.
от 10 шт. 1 421.23 руб./шт.
от 100 шт. 1 370.44 руб./шт.
от 240 шт. 1 319.72 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 455 мОм, 5.3 нКл, 4.7А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 455 мОм 5.3 нКл 4.7 А TO-247-3 Нет в наличии 452.54 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 487.36 руб./шт.
от 240 шт. 452.54 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 286 мОм, 8.5 нКл, 13А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 286 мОм 8.5 нКл 13 А TO-247-3 Нет в наличии 521.95 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии 30 штук в пенале
от 1 шт. 562.10 руб./шт.
от 240 шт. 521.95 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 182 мОм, 13 нКл, 19А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 182 мОм 13 нКл 19 А TO-247-3 Нет в наличии 610.87 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 657.86 руб./шт.
от 240 шт. 610.87 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 117 мОм, 21 нКл, 26А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 117 мОм 21 нКл 26 А TO-247-3 Нет в наличии 743.15 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 800.32 руб./шт.
от 240 шт. 743.15 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 78 мОм, 31 нКл, 36А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 78 мОм 31 нКл 36 А TO-247-3 Нет в наличии 968.06 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии 8 штук в коробке
от 1 шт. 1 042.54 руб./шт.
от 240 шт. 968.06 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 40 мОм, 63 нКл, 56А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-3 Нет в наличии 1 640.02 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 766.17 руб./шт.
от 240 шт. 1 640.02 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 40 мОм, 63 нКл, 56А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-4 Нет в наличии 1 664.12 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 792.13 руб./шт.
от 240 шт. 1 664.12 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650В, 27 мОм, 62 нКл, 47А, TO-247-3 N-Channel 650 В 27 мОм 62 нКл 47 А TO-247-3 Нет в наличии
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200В, 60 мОм, 31 нКл, 36А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 60 мОм 31 нКл 36 А TO-247-4 Нет в наличии
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1700В, 650 мОм, 8 нКл, 7.4А, PG-TO263-7 N-Channel 1700 В 650 мОм 8 нКл 7.4 А PG-TO263-7 Нет в наличии
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии 15 штук в коробке
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1700В, 1000 мОм, 5 нКл, 5.2А, PG-TO263-7 N-Channel 1700 В 1000 мОм 5 нКл 5.2 А PG-TO263-7 Нет в наличии
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии 15 штук в коробке
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650В, 48 мОм, 33 нКл, 24А, TO-247AC N-Channel 650 В 48 мОм 33 нКл 24 А TO-247AC Нет в наличии
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
  • Назад
  • 1
  • Вперед
    • 50
    • 150
    • 250
Для комфортного просмотра контента на мобильном устройстве, приведите устройство в горизонтальное положение