- Артикул: 00454049
- Количество в упаковке: 30
- Стандартная упаковка: Пенал
NTH4L028N170M1 ON Semiconductor
Краткое описание
Код товара у производителя: NTH4L028N170M1
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация
SiC транзистор NTH4L028N170M1 ONSEMI
Код товара производителя
NTH4L028N170M1
Наименование класса номенклатуры
SiC транзистор
Основные характеристики
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1700 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
0.04 Ом
Qrr
(заряд затвора)
200 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
81 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55 °C ... 175 °C
Размеры
Корпус
To-247-4ld, 4 Pin
Упаковка
Количество в упаковке
30
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet NTH4L028N170M1 ON Semiconductor
Английский язык
pdf
275.12 КБ
SiC транзистор NTH4L028N170M1, производителя ON Semiconductor
Ключевые параметры компонента NTH4L028N170M1: SiC MOSFET V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 0.04 Ом; Qrr: 200 нКл; I d: 81 А; Корпус: To-247-4ld, 4 Pin.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя ON Semiconductor в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента NTH4L028N170M1: SiC MOSFET V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 0.04 Ом; Qrr: 200 нКл; I d: 81 А; Корпус: To-247-4ld, 4 Pin.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя ON Semiconductor в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.