- Артикул: 00444321
- Количество в упаковке: 30
- Стандартная упаковка: Пенал
IV1Q12030T4G InventChip Technology Co., Ltd
Краткое описание
Код товара у производителя: IV1Q12030T4G
Производитель: InventChip Technology Co., Ltd
Спецификация
SiC транзистор IV1Q12030T4G ICT
Код товара производителя
IV1Q12030T4G
Наименование класса номенклатуры
SiC транзистор
Основные характеристики
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
30 мОм
Qrr
(заряд затвора)
168 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
79 А
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247-4
Упаковка
Количество в упаковке
30
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet IV1Q12030T4G InventChip Technology Co., Ltd
Английский язык
pdf
1.89 МБ
SiC транзистор IV1Q12030T4G, производителя InventChip Technology Co., Ltd
Ключевые параметры компонента IV1Q12030T4G: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 30 мОм; Qrr: 168 нКл; I d: 79 А; Корпус: TO-247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя InventChip Technology Co., Ltd в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IV1Q12030T4G: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 30 мОм; Qrr: 168 нКл; I d: 79 А; Корпус: TO-247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя InventChip Technology Co., Ltd в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.