Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

YJD2120120NCTGH SuncoYJ

Краткое описание

Код товара у производителя: YJD2120120NCTGH Производитель: SuncoYJ
YJD2120120NCTGH SuncoYJ
  • Артикул: 00461645
  • Количество в упаковке: 1800
  • Стандартная упаковка: Пенал

Спецификация

SiC транзистор YJD2120120NCTGH YJ
Производитель SuncoYJ
Код товара производителя YJD2120120NCTGH
Наименование класса номенклатуры SiC транзистор
Основные характеристики
V(br)dss (напряжение сток-исток) 1200 В
Rds(on) (сопротивление канала) 120 мОм
Qrr (заряд затвора) 67 нКл
I d (ток стока при 25°C) 24 А
Диапазон рабочих температур -55°C~175°C
Размеры
Корпус TO-247-3
Упаковка
Количество в упаковке 1800
Упаковка (стандартная) Пенал

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Datasheets (1)

Datasheet YJD2120120NCTGH Английский язык
pdf 819.08 КБ

Под заказ
1800 Штук в Пенале
Запросить условия поставки
YJD2120120NCTGH SuncoYJ

Аналоги

Код товара у производителя
SCD2120120NCTGH
Производитель
Описание
Наличие
Цена от
Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd. SCD2120120NCTGH Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd., Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы, Под заказ -
SCD2120120NCTGH Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd.
Полная карточка товара
SCD2120120NCTGH Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd., Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы,
Добавить в избранное
Под заказ 1800 Штук в Пенале
SiC транзистор YJD2120120NCTGH, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента YJD2120120NCTGH: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 120 мОм; Qrr: 67 нКл; I d: 24 А; Корпус: TO-247-3.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.