- Артикул: 00459594
- Количество в упаковке: 100
- Стандартная упаковка: Россыпь
YJD212060B7GH SuncoYJ
Краткое описание
Код товара у производителя: YJD212060B7GH
Производитель: SuncoYJ
Спецификация
SiC транзистор YJD212060B7GH YJ
Производитель
SuncoYJ
Код товара производителя
YJD212060B7GH
Наименование класса номенклатуры
SiC транзистор
Основные характеристики
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
60 мОм
Qrr
(заряд затвора)
129 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
42 А
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-263-7L
Упаковка
Количество в упаковке
100
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
SiC транзистор YJD212060B7GH, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента YJD212060B7GH: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 129 нКл; I d: 42 А; Корпус: TO-263-7L.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента YJD212060B7GH: SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 129 нКл; I d: 42 А; Корпус: TO-263-7L.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.