Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
P3M12025K3 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Артикул
Производитель
Спецификация:
SiC транзистор P3M12025K3, производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Ключевые параметры компонента P3M12025K3: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; I d: 80 А; Корпус: TO-247-3.
от 1 шт
2 220.57 руб./шт
от 2 220.57 руб. /шт
Производитель
Серия
Спецификация:
SiC транзистор P3M12025K3, производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Ключевые параметры компонента P3M12025K3: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; I d: 80 А; Корпус: TO-247-3.
Основные характеристики
I d
V(br)dss
Rds(on)
Корпус
Дополнительные характеристики
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Qrr
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.