- Артикул: 00450855
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Россыпь
P3M12025K3 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Краткое описание
Код товара у производителя: P3M12025K3
Производитель: PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Спецификация
SiC транзистор P3M12025K3 PN JUNCTION
Код товара производителя
P3M12025K3
Наименование класса номенклатуры
SiC транзистор
Основные характеристики
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
25 мОм
Qrr
(заряд затвора)
172 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
80 А
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247-3
Упаковка
Количество в упаковке
1
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet P3M12025K3 PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Английский язык
pdf
3.26 МБ
SiC транзистор P3M12025K3, производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD
Ключевые параметры компонента P3M12025K3: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 172 нКл; I d: 80 А; Корпус: TO-247-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента P3M12025K3: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 172 нКл; I d: 80 А; Корпус: TO-247-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (HANGZHOU) CO.LTD в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.