YJD212060NCTGH SuncoYJ
Производитель
Серия
Документы (Datasheet)
Спецификация:
SiC транзистор YJD212060NCTGH, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента YJD212060NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 129 нКл; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента YJD212060NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 129 нКл; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Читать подробнее
кратность 1
от 1 шт
364.06 руб./шт
от 10 шт
348.55 руб./шт
от 100 шт
307.89 руб./шт
от 1 000 шт
288.92 руб./шт
от 288.92
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 288.92/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 000 шт
288.92 руб. /шт
от 100 шт
307.89 руб. /шт
от 10 шт
348.55 руб. /шт
от 1 шт
364.06 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
2 000 шт
В упаковке:
1
Тип упаковки:
Пенал
Производитель
Серия
Документы (Datasheet)
Спецификация:
SiC транзистор YJD212060NCTGH, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента YJD212060NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 129 нКл; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента YJD212060NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 129 нКл; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Читать подробнее
Основные характеристики
