Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
YJD212060NCTGH SuncoYJ
Артикул
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
SiC транзистор YJD212060NCTGH, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента YJD212060NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB.
кратность 1
от 1 шт
394.26 руб./шт
от 10 шт
377.47 руб./шт
от 100 шт
333.44 руб./шт
от 1 000 шт
312.88 руб./шт
от 312.88 руб. /шт
В наличии
2 000 шт
Производитель
Серия
Документы (Datasheet)
Спецификация:
SiC транзистор YJD212060NCTGH, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента YJD212060NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB.
Основные характеристики
I d
V(br)dss
Rds(on)
Корпус
Дополнительные характеристики
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Qrr
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.