YJD212060NCTGH SuncoYJ
Артикул
00452937
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
SiC транзистор YJD212060NCTGH, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента YJD212060NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB.
Ключевые параметры компонента YJD212060NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB.
Читать подробнее
кратность 1
от 1 шт
391.99 руб./шт
от 10 шт
375.30 руб./шт
от 100 шт
331.51 руб./шт
от 1 000 шт
311.09 руб./шт
от 311.09 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 311.09/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 000 шт
311.09 руб. /шт
от 100 шт
331.51 руб. /шт
от 10 шт
375.30 руб. /шт
от 1 шт
391.99 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
2 000 шт
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
SiC транзистор YJD212060NCTGH, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента YJD212060NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB.
Ключевые параметры компонента YJD212060NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; I d: 44.5 А; Корпус: TO247AB.
Читать подробнее
Основные характеристики
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
