- Артикул: 00468920
- Количество в упаковке: 6
- Стандартная упаковка: Россыпь
UF4SC120030K4S ON Semiconductor
Краткое описание
Код товара у производителя: UF4SC120030K4S
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация
SiC транзистор ONSEMI
Код товара производителя
UF4SC120030K4S
Наименование класса номенклатуры
SiC транзистор
Основные характеристики
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
0.039 Ом
Qrr
(заряд затвора)
277 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
53 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55 °C ... 175 °C
Размеры
Корпус
TO247-4
Упаковка
Количество в упаковке
6
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet UF4SC120030K4S ON Semiconductor
Английский язык
pdf
406.93 КБ
SiC транзистор UF4SC120030K4S, производителя ON Semiconductor
Ключевые параметры компонента UF4SC120030K4S: V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 0.039 Ом; Qrr: 277 нКл; I d: 53 А; Корпус: TO247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя ON Semiconductor в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента UF4SC120030K4S: V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 0.039 Ом; Qrr: 277 нКл; I d: 53 А; Корпус: TO247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя ON Semiconductor в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.