- Артикул: 00420039
- Количество в упаковке: 20
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IMBG120R090M1HXTMA1
Серия товаров
CoolSiC™
Наименование класса номенклатуры
SiC транзистор
OPN
SP004463788
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
125 мОм
Qrr
(заряд затвора)
23 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
26 А
Тип монтажа
Surface Mount
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Емкость
(Электрическая ёмкость)
763 пФ
Размеры
Корпус
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Типоразмер
PG-TO263-7-12
Упаковка
Количество в упаковке
20
SiC транзистор IMBG120R090M1HXTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IMBG120R090M1HXTMA1: CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 125 мОм; Q g: 23 нКл ; I d: 26 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IMBG120R090M1HXTMA1: CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 125 мОм; Q g: 23 нКл ; I d: 26 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.