Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
DCC025M120G1 WXDH Electronics
Производитель
Серия
Спецификация:
SiC MOSFET DCC025M120G1, производителя WXDH Electronics
Ключевые параметры компонента DCC025M120G1: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 195 нКл; I d: 43 А; Корпус: TO-247.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WXDH Electronics в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
кратность 1
от 1 шт
5 158.82 руб./шт
от 50 шт
4 563.52 руб./шт
от 240 шт
3 968.21 руб./шт
от 3968.21 /шт
В наличии
10 шт
В упаковке:
10
Тип упаковки:
Россыпь
Производитель
Серия
Спецификация:
SiC MOSFET DCC025M120G1, производителя WXDH Electronics
Ключевые параметры компонента DCC025M120G1: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 195 нКл; I d: 43 А; Корпус: TO-247.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WXDH Electronics в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Основные характеристики
I d
V(br)dss
Rds(on)
Корпус
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Qrr