- Артикул: 00444019
- Количество в упаковке: 10
- Стандартная упаковка: Россыпь
DCC025M120G1 WXDH Electronics
Краткое описание
Код товара у производителя: DCC025M120G1
Производитель: WXDH Electronics
Спецификация
SiC MOSFET DCC025M120G1 TO-247-3L WXDH
Код товара производителя
DCC025M120G1
Наименование класса номенклатуры
SiC MOSFET
Основные характеристики
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
25 мОм
Qrr
(заряд затвора)
195 нКл
I d
(ток стока при 25°C)
43 А
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247
Упаковка
Количество в упаковке
10
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet DCC025M120G1 WXDH Electronics
Английский язык
pdf
886.99 КБ
SiC MOSFET DCC025M120G1, производителя WXDH Electronics
Ключевые параметры компонента DCC025M120G1: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 195 нКл; I d: 43 А; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WXDH Electronics в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента DCC025M120G1: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 195 нКл; I d: 43 А; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WXDH Electronics в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.