YJD212040NCTGH SuncoYJ
Производитель
Серия
Спецификация:
SiC транзистор YJD212040NCTGH, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента YJD212040NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 229 нКл; I d: 62 А; Корпус: TO247AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента YJD212040NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 229 нКл; I d: 62 А; Корпус: TO247AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Читать подробнее
кратность 1
от 1 шт
611.67 руб./шт
от 611.67
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 611.67/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
611.67 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
6 шт
В упаковке:
1800
Тип упаковки:
Пенал
Производитель
Серия
Спецификация:
SiC транзистор YJD212040NCTGH, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента YJD212040NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 229 нКл; I d: 62 А; Корпус: TO247AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента YJD212040NCTGH: SiC MOSFET V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 229 нКл; I d: 62 А; Корпус: TO247AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Читать подробнее
Основные характеристики
