|
|
Высокоскоростные IGBT - транзисторы на 600 В серии HighSpeed 30-100 кГц
| Наименование |
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при 150°С, В |
Ток коллектора при 25°С, А |
Ток коллектора при 150°С, А |
Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт |
Тип корпуса |
| SGB15N60HS |
3,5 |
27,0 |
15,0 |
138,0 |
D2PAK (TO-263) |
| SGP20N60HS |
3,5 |
36,0 |
20,0 |
178,0 |
TO-220 |
| SGP30N60HS |
3,5 |
41,0 |
30,0 |
250,0 |
TO-220 |
| SGW20N60HS |
3,5 |
36,0 |
20,0 |
178,0 |
TO-247 |
| SGW30N60HS |
3,5 |
41,0 |
30 |
250 |
TO-247 |
| SGW50N60HS |
3,15 |
100,0 |
50 |
416 |
TO-247 |
 Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>
|
|
|
СИММЕТРОН
