Комплексные поставки электронных компонентов
Infineon

Высокоскоростные IGBT - транзисторы на 600 В серии HighSpeed 30-100 кГц

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 150°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
SGB15N60HS 3,5 27,0 15,0 138,0 D2PAK (TO-263)
SGP20N60HS 3,5 36,0 20,0 178,0 TO-220
SGP30N60HS 3,5 41,0 30,0 250,0 TO-220
SGW20N60HS 3,5 36,0 20,0 178,0 TO-247
SGW30N60HS 3,5 41,0 30 250 TO-247
SGW50N60HS 3,15 100,0 50 416 TO-247

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru




 

   ?