Комплексные поставки электронных компонентов
Infineon

TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 1200 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  25°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 100°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
IHP10T120 1,7 16,0 10,0 138,0 TO-220
IKW08T120 1,7 16,0 8,0 70,0 TO-247
IKW15T120 1,7 30,0 15,0 110,0 TO-247
IKW25T120 1,7 50,0 25,0 190,0 TO-247
IKW40T120 1,8 75,0 40,0 270,0 TO-247

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru




 

   ?