Электронные компоненты Infineon

• Микроконтроллеры Infineon (pdf, 121K, обновлен 21/09/06)
• Силовые транзисторы infineon
  • N канальные (20—200 В)
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™2 20 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™2 25 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™2 30 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 30 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 40 В
    • N- канальные полевые транзисторы SIPMOS® 60 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS® 60 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 60 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 80 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™2 85 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™2 100 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 100 В
    • N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 150 В
    • N - канальные полевые транзисторы SIPMOS® 200 В
  • N канальные (500 – 900 В)
    • N – канальные транзисторы СoolMOS™ 500 В
    • N – канальные транзисторы СoolMOS™ 600 В
    • N – канальные транзисторы СoolMOS™ 650 В
    • N – канальные транзисторы СoolMOS™ 800 В
    • N – канальные транзисторы СoolMOS™ 900 В
  • N канальные Small-Signal (20 – 800 В)
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™2 20 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™2 30 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™2 50 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™2 55 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™ 60 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal OptiMOS™2 60 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 100 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 200 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 400 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 500 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 600 В
    • N - канальные полевые транзисторы Small-Signal SIPMOS® 800 В
  • N канальные Depletion MOSFET
    • N - канальные Depletion полевые транзисторы SIPMOS®
  • P канальные (60 – 600 В)
    • Р - канальные полевые транзисторы OptiMOS™ -20 В
    • Р - канальные полевые транзисторы OptiMOS™ -30 В
    • Р - канальные полевые транзисторы SIPMOS® -60 В
    • Р - канальные полевые транзисторы SIPMOS® -100 В
    • Р - канальные полевые транзисторы SIPMOS® -250 В
  • Комплементарные пары (20 – 60 В)
    • Комплементарные пары полевых транзисторов SIPMOS®
  • N канальные (500 – 900 В)
• IGBT транзисторы infineon
  • IGBT дискретные
    • Быстродействующие IGBT – транзисторы на 600 В серии Fast – IGBT 10-40 кГц
    • Быстродействующие IGBT – транзисторы на 1200 В серии Fast – IGBT 10-40 кГц
    • Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 600 В серии HighSpeed 30-100 кГц
    • Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 1200 В серии HighSpeed2 30-100 кГц
    • TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 600 2-20 кГц
    • TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 1200 2-20 кГц
    • TRENCHSTOP™2 IGBT – транзисторы 1200 В 2-20 кГц
  • IGBT со встроенным диодом
    • Высокоскоростные IGBT транзисторы DuoPACK с обратным EmCon диодом серии Fast IGBT 600 В 10-40 кГц
    • Высокоскоростные IGBT транзисторы DuoPACK с обратным EmCon диодом серии Fast IGBT 1200 В 10-40 кГц
    • Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 600 В с обратным EmCon диодом серии HighSpeed 30-100 кГц
    • Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 1200 В с обратным EmCon диодом серии HighSpeed2 30-100 кГц
    • TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 600 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом
    • TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 900 В 2-20 кГц с обратным диодом
    • TRENCHSTOP™ IGBT – транзисторы на 1200 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом
    • TRENCHSTOP™2 IGBT – транзисторы на 1200 В 2-20 кГц с обратным EmCon диодом
    • RC Soft Switching Series - транзисторы на 600 В 8-60 kHz
    • RC Soft Switching Series - транзисторы на 900 В 8-60 kHz
    • RC Soft Switching Series - транзисторы на 1000 В 8-60 kHz
    • RC Soft Switching Series - транзисторы на 1200 В 8-60 kHz
• ВЧ-транзисторы
  • Биполярные ВЧ-транзисторы
  • SIEGET биполярные ВЧ-транзисторы
  • Полевые ВЧ-транзисторы
• Биполярные транзисторы Infineon (pdf, [an error occurred while processing this directive], обновлен [an error occurred while processing this directive])
• Диоды infineon
  • Быстрые силовые диоды
    • Кремниевые мощные Fast Switching EmCon диоды 600 В
    • Кремниевые мощные Fast Switching EmCon диоды 1200 В
  • Диоды Шоттки
    • Диоды Шоттки Silicon Carbide thinQ!™ 2G 300 В
    • Диоды Шоттки Silicon Carbide thinQ! ™ 600 В
    • Кремниевые высокоскоростные диоды Шоттки
    • Кремниевые диоды Шоттки средней мощности
    • Кремниевые радиочастотные смесительные диоды Шоттки
    • Кремниевые радиочастотные детекторные диоды Шоттки
  • Выпрямители
    • Полумостовые выпрямители
    • Мостовые выпрямители
  • Кремниевые высокоскоростные коммутационные диоды
  • Кремниевые диоды для защиты от электростатики
  • Кремниевые высокоскоростные коммутационные диоды
  • Кремниевые диоды с низким током утечки
  • Кремниевые радиочастотные варакторы
• Силовые модули
  • IGBT-модули, силовые тиристоры, силовые диоды - каталог производителя (pdf, 25M, обновлен 03/07/09)
• Широкополосные и малошумящие ВЧ усилители

 Подробнее о компании Infineon >>>