|
|
N- канальные полевые транзисторы OptiMOS™3 150 В
| Наименование |
Сопротивление в открытом состоянии @ VGS=10 V, мОм |
Пороговое напряжение затвора, В |
Постоянный ток стока, А |
Заряд затвора, нКл |
Тип корпуса |
| IPB072N15N3 G |
7,2 |
2,0-4,0 |
100,0 |
70,0 |
D2PAK (TO-263) |
| IPB200N15N3 G |
20,0 |
2,0-4,0 |
50,0 |
23,0 |
D2PAK (TO-263) |
| IPD200N15N3 G |
20,0 |
2,0-4,0 |
50,0 |
23,0 |
DPAK (TO-252) |
| IPI075N15N3 G |
7,5 |
2,0-4,0 |
100,0 |
70,0 |
I2PAK (TO-262) |
| IPI200N15N3 G |
20,0 |
2,0-4,0 |
50,0 |
23,0 |
I2PAK (TO-262) |
| BSC190N15NS3 G |
19,0 |
2,0-4,0 |
50,0 |
23,0 |
SuperSO8 |
| IPP075N15N3 G |
7,5 |
2,0-4,0 |
100,0 |
70,0 |
TO-220 |
| IPP200N15N3 G |
20,0 |
2,0-4,0 |
50,0 |
23,0 |
TO-220 |
Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>
|
|
|