Дискретные транзисторы серии CoolMOS™ С7

Серия разработана для достижения рекордного уровня эффективности.

600-В CoolMOS™ C7 — флагманская технология CoolMOS™ для высокоскоростных переключений в топологиях с жёсткой коммутацией и других высокопроизводительных топологий.

Серии полевых МОП-транзисторов CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) от Infineon на 600 и 650 В разработаны для достижения рекордного уровня эффективности, предлагая существенный выигрыш по эффективности во всём диапазоне нагрузок, в топологиях с жёстким переключением в сравнении с другими сериями CoolMOS™ и конкурентами.

Серия 600-В CoolMOS™ C7 позволяет снизить потери на 50% при выключении (E_OSS), что обеспечивает высокий уровень производительности в PFC, TTF и других аппаратных переключениях, а также в топологиях LLC.

Серия 650-В CoolMOS™ C7 обеспечивает новый уровень производительности в устройствах с жёстким переключением, таких как корректор коэффициента мощности (PFC), а также когда требуются дополнительные 50 В для максимального значения напряжения пробоя по сравнению с 600-В CoolMOS™ C7. Применение транзисторов данной серии позволяет повысить эффективность устройств во всём диапазоне нагрузок за счёт балансировки ряда ключевых параметров.

Особенности серии CoolMOS™ С7:

• Снижены потери при переключении (такие параметры как Q_G, C_OSS), что обеспечивает более высокую частоту переключения
• Подходит для топологий с жёстким переключением (650 В и 600 В)
• Подходит для резонансных топологий (только 600 В)
• Высокая эффективность в топологиях с жёстким переключением, таких как PFC и TTF
• Уменьшение размера и стоимости магнитных компонентов за счёт увеличения частоты переключения (например, в диапазоне 65…130 кГц)
• Повышенная удельная мощность ,благодаря использованию меньших корпусов