- Артикул: 00423158
G5S12010C Global Power Technology
Краткое описание
Код товара у производителя: G5S12010C
Производитель: Global Power Technology
Спецификация
Диод SiC GPT
Производитель
Global Power Technology
Код товара производителя
G5S12010C
Наименование класса номенклатуры
Диод SiC
Основные характеристики
Vrrm
(максимальное обратное напряжение)
1200 В
If
(прямой ток)
10 А
Vf
(прямое падение напряжения)
1.7 В
Конфигурация
Single
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-252
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet G5S12010C Global Power Technology
Английский язык
pdf
486.53 КБ
Диод SiC G5S12010C, производителя Global Power Technology
Ключевые параметры компонента G5S12010C: Vrrm: 1200 В; If: 10 А; Vf: 1,7 В; Qg: 55 нКл; Корпус: TO-252.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Global Power Technology в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента G5S12010C: Vrrm: 1200 В; If: 10 А; Vf: 1,7 В; Qg: 55 нКл; Корпус: TO-252.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Global Power Technology в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.