- Артикул: 00300846
- Количество в упаковке: 1
- Норма упаковки: 500
IDH04SG60CXKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Benchmark switching behavior
No reverse recovery charge
Temperature independent switching behavior
High operating temperature (T j max 175°C)
Диод SiC 600В, 4А, 1.7В, PG-TO220-2
No reverse recovery charge
Temperature independent switching behavior
High operating temperature (T j max 175°C)
Диод SiC 600В, 4А, 1.7В, PG-TO220-2
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IDH04SG60CXKSA1
Наименование класса номенклатуры
Диод SiC
OPN
SP000607026
Основные характеристики
Vrrm
(максимальное обратное напряжение)
600 В
If
(прямой ток)
4 А
Vf
(прямое падение напряжения)
1.7 В
Конфигурация
Single
Тип монтажа
Through Hole
Тип
Silicon Carbide Schottky
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
PG-TO220-2
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Норма упаковки
500
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
545.31 КБ
Диод SiC IDH04SG60CXKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IDH04SG60CXKSA1: Vrrm: 600 В; If: 4 А; Vf: 1.7 В; Корпус: PG-TO220-2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IDH04SG60CXKSA1: Vrrm: 600 В; If: 4 А; Vf: 1.7 В; Корпус: PG-TO220-2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.