- Артикул: 00377574
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
IDH06G65C6XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
The lowest V F: 1.25V
Best-in-class figure of merit (Q c x V F)
No reverse recovery charge
Temperature independent switching behavior
High dv/dt ruggedness
Optimized thermal behavior
Диод SiC 650В, 6А, 1.25В, PG-TO220-2
Best-in-class figure of merit (Q c x V F)
No reverse recovery charge
Temperature independent switching behavior
High dv/dt ruggedness
Optimized thermal behavior
Диод SiC 650В, 6А, 1.25В, PG-TO220-2
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IDH06G65C6XKSA1
Наименование класса номенклатуры
Диод SiC
OPN
SP001620586
Основные характеристики
Vrrm
(максимальное обратное напряжение)
650 В
If
(прямой ток)
6 А
Vf
(прямое падение напряжения)
1.25 В
Конфигурация
Single
Тип монтажа
Through Hole
Тип
Silicon Carbide Schottky
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
PG-TO220-2
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
Диод SiC IDH06G65C6XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IDH06G65C6XKSA1: Vrrm: 650 В; If: 6 А; Vf: 1.25 В; Корпус: PG-TO220-2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IDH06G65C6XKSA1: Vrrm: 650 В; If: 6 А; Vf: 1.25 В; Корпус: PG-TO220-2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.