- Артикул: 00242531
- Количество в упаковке: 655
- Стандартная упаковка: Полупроводниковая пластина
SIGC81T120R2CSX1SA4 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
High robustness
IGBT кристалл 1200 В, 50А, IGBT2 Fast
Easy paralleling
High robustness
IGBT кристалл 1200 В, 50А, IGBT2 Fast
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SIGC81T120R2CSX1SA4
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000013040
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
50 А
Технология
IGBT2 Fast
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Полупроводниковая пластина
Количество в упаковке
655
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
67.25 КБ
IGBT кристалл SIGC81T120R2CSX1SA4, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC81T120R2CSX1SA4: Vce: 1200 В; I c: 50 А; Технология: IGBT2 Fast.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIGC81T120R2CSX1SA4: Vce: 1200 В; I c: 50 А; Технология: IGBT2 Fast.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.