- Артикул: 00407506
MJD127G ON Semiconductor
Краткое описание
Код товара у производителя: MJD127G
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация
Мощный PNP транзистор Дарлингтона Iн = 8A, Uобр = 100V, SMD (DPak). ONSEMI
Код товара производителя
MJD127G
Наименование класса номенклатуры
Мощный PNP транзистор Дарлингтона
Основные характеристики
Коэфф. передачи
(Коэфф. передачи)
1000..12000
Полярность
NPN
I к.макс.
(I к.макс.)
8 А
U к-э
(U к-э)
100 В
Размеры
Корпус
TO252 (DPAK)
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet MJD122-D ON Semiconductor
Английский язык
pdf
331.68 КБ
Мощный PNP транзистор Дарлингтона MJD127G, производителя ON Semiconductor
Ключевые параметры компонента MJD127G: Корпус: TO252 (DPAK); Коэфф. передачи: 1000..12000; Полярность: NPN; I к.макс.: 8 А; U к-э: 100 В.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя ON Semiconductor в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента MJD127G: Корпус: TO252 (DPAK); Коэфф. передачи: 1000..12000; Полярность: NPN; I к.макс.: 8 А; U к-э: 100 В.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя ON Semiconductor в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.