- Артикул: 00382187
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
AIHD06N60RFATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Optimized V CE(sat) and V F for low conduction losses
Smooth switching performance leading to low EMI levels
Very tight parameter distribution
Operating range of 1 to 20kHz
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit capability of 5µs
Best-in-Class current versus package size performance
Pb-free lead plating; ROHS compliant (for PG-TO-252: solder temperature 260°C, MSL1)
IGBT транзистор 600В, 6А, 4~30кГц, 2.1В, DPak (TO-252)
Smooth switching performance leading to low EMI levels
Very tight parameter distribution
Operating range of 1 to 20kHz
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit capability of 5µs
Best-in-Class current versus package size performance
Pb-free lead plating; ROHS compliant (for PG-TO-252: solder temperature 260°C, MSL1)
IGBT транзистор 600В, 6А, 4~30кГц, 2.1В, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
AIHD06N60RFATMA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001346850
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
6 А
f раб.
(рабочая частота)
4~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.1 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.69 МБ
IGBT транзистор AIHD06N60RFATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента AIHD06N60RFATMA1: V ce: 600 В; I c: 6 А; f раб.: 4~30кГц; V CE(on): 2.1 В; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента AIHD06N60RFATMA1: V ce: 600 В; I c: 6 А; f раб.: 4~30кГц; V CE(on): 2.1 В; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.