Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

AIKW30N60CTXKSA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: AIKW30N60CTXKSA1 Производитель: Infineon OPN: SP001346786
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon
  • Артикул: 00382178
  • Количество в упаковке: 1
  • Стандартная упаковка: Паллета

Спецификация

Very low V CE(sat) 1.5V (typ.)
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5µs
Positive temperature coefficient in V CE(sat)
Low EMI
Low gate charge
Green package
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

IGBT транзистор 600В, 30А, 0~30кГц, 1.65В, TO-247AC
Производитель Infineon
Код товара производителя AIKW30N60CTXKSA1
Наименование класса номенклатуры IGBT транзистор
OPN SP001346786
Основные характеристики
V ce (напряжение коллектор-эмиттер) 600 В
I c (постоянный ток коллектора) 30 А
f раб. (рабочая частота) 0~30кГц
V CE(on) (напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора) 1.65 В
Диапазон рабочих температур -40°C~175°C
Размеры
Корпус TO-247AC
Упаковка
Упаковка (стандартная) Паллета
Количество в упаковке 1

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Datasheets (1)


Под заказ
1 Штука в Паллете

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
IGBT транзистор AIKW30N60CTXKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента AIKW30N60CTXKSA1: V ce: 600 В; I c: 30 А; f раб.: 0~30кГц; V CE(on): 1.65 В; Корпус: TO-247AC.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.