- Артикул: 00382214
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
AUIRGDC0250 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 33А, 0~1кГц, 1.47В, SUPER220
Производитель
Infineon
Код товара производителя
AUIRGDC0250
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001511678
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
33 А
f раб.
(рабочая частота)
0~1кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.47 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
SUPER220
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
432.44 КБ
IGBT транзистор AUIRGDC0250, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента AUIRGDC0250: V ce: 1200 В; I c: 33 А; f раб.: 0~1кГц; V CE(on): 1.47 В; Корпус: SUPER220.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента AUIRGDC0250: V ce: 1200 В; I c: 33 А; f раб.: 0~1кГц; V CE(on): 1.47 В; Корпус: SUPER220.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.