- Артикул: 00382216
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
AUIRGSL30B60K Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 50А, 10~30 кГц, 1.95В, TO262
Производитель
Infineon
Код товара производителя
AUIRGSL30B60K
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001511884
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
50 А
f раб.
(рабочая частота)
10~30 кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.95 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO262
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
394.85 КБ
IGBT транзистор AUIRGSL30B60K, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента AUIRGSL30B60K: V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 10~30 кГц; V CE(on): 1.95 В; Корпус: TO262.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента AUIRGSL30B60K: V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 10~30 кГц; V CE(on): 1.95 В; Корпус: TO262.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.