- Артикул: 00433525
- Количество в упаковке: 30
- Стандартная упаковка: Пенал
DGW40N120CTH0 SuncoYJ
Краткое описание
Код товара у производителя: DGW40N120CTH0
Производитель: SuncoYJ
Спецификация
Производитель
SuncoYJ
Код товара производителя
DGW40N120CTH0
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
40 А
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1,7 В
Размеры
Корпус
TO-247
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
30
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet DGW40N120CTH0 S-M347D SuncoYJ
Английский язык
15.02.2021
pdf
580.2 КБ
IGBT транзистор DGW40N120CTH0, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGW40N120CTH0: V ce: 1200 В; I c: 40 А; V CE(on): 1,7 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента DGW40N120CTH0: V ce: 1200 В; I c: 40 А; V CE(on): 1,7 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.