- Артикул: 00430696
- Количество в упаковке: 25
- Стандартная упаковка: Пенал
DHG60T65D WXDH Electronics
Краткое описание
Код товара у производителя: DHG60T65D
Производитель: WXDH Electronics
Спецификация
IGBT транзистор TO-3PN WXDH
Код товара производителя
DHG60T65D
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
60 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.85 В
Размеры
Корпус
TO-3PN
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
25
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet DHG60T65D TO-3PN WXDH
Английский язык
pdf
1.28 МБ
IGBT транзистор DHG60T65D, производителя WXDH Electronics
Ключевые параметры компонента DHG60T65D: V ce: 650 В; I c: 60 А; V CE(sat): 1.85 В; Корпус: TO-3PN.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WXDH Electronics в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента DHG60T65D: V ce: 650 В; I c: 60 А; V CE(sat): 1.85 В; Корпус: TO-3PN.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WXDH Electronics в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
