- Артикул: 00382126
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IGB20N60H3ATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz
Low switching losses for high efficiency
Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability
Offering T j(max) of 175°C
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
IGBT транзистор 600В, 20А, 20~100кГц, D2Pak (TO-263)
Low switching losses for high efficiency
Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability
Offering T j(max) of 175°C
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
IGBT транзистор 600В, 20А, 20~100кГц, D2Pak (TO-263)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IGB20N60H3ATMA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP000852232
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
20 А
f раб.
(рабочая частота)
20~100кГц
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
D2Pak (TO-263)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.6 МБ
IGBT транзистор IGB20N60H3ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGB20N60H3ATMA1: V ce: 600 В; I c: 20 А; f раб.: 20~100кГц; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IGB20N60H3ATMA1: V ce: 600 В; I c: 20 А; f раб.: 20~100кГц; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.