- Артикул: 00382095
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IGD01N120H2BUMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Loss reduction in resonant circuits
Temperature stable behavior
Parallel switching capability
Tight parameter distribution
E off optimized for IC =1A
IGBT транзистор 1200В, 1.3А, 30~100кГц, DPak (TO-252)
Temperature stable behavior
Parallel switching capability
Tight parameter distribution
E off optimized for IC =1A
IGBT транзистор 1200В, 1.3А, 30~100кГц, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IGD01N120H2BUMA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP000014523
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
1.3 А
f раб.
(рабочая частота)
30~100кГц
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
IGBT транзистор IGD01N120H2BUMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGD01N120H2BUMA1: V ce: 1200 В; I c: 1.3 А; f раб.: 30~100кГц; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IGD01N120H2BUMA1: V ce: 1200 В; I c: 1.3 А; f раб.: 30~100кГц; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.