- Артикул: 00382093
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IGW03N120H2FKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Loss reduction in resonant circuits
Temperature stable behavior
Parallel switching capability
Tight parameter distribution
E off optimized for IC =1A
IGBT транзистор 1200В, 3.9А, 30~100кГц, TO-247AC
Temperature stable behavior
Parallel switching capability
Tight parameter distribution
E off optimized for IC =1A
IGBT транзистор 1200В, 3.9А, 30~100кГц, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IGW03N120H2FKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP000014182
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
3.9 А
f раб.
(рабочая частота)
30~100кГц
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
341.01 КБ
IGBT транзистор IGW03N120H2FKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGW03N120H2FKSA1: V ce: 1200 В; I c: 3.9 А; f раб.: 30~100кГц; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IGW03N120H2FKSA1: V ce: 1200 В; I c: 3.9 А; f раб.: 30~100кГц; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.