Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IGW30N100TFKSA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IGW30N100TFKSA1 Производитель: Infineon OPN: SP000380845
IGW30N100TFKSA1 Infineon
  • Артикул: 00382114
  • Количество в упаковке: 1
  • Стандартная упаковка: Паллета

Спецификация

Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution

IGBT транзистор 1000В, 30А, 2~20кГц, TO-247AC
Производитель Infineon
Код товара производителя IGW30N100TFKSA1
Наименование класса номенклатуры IGBT транзистор
OPN SP000380845
Основные характеристики
V ce (напряжение коллектор-эмиттер) 1000 В
I c (постоянный ток коллектора) 30 А
f раб. (рабочая частота) 2~20кГц
Диапазон рабочих температур -55°C~175°C
Размеры
Корпус TO-247AC
Упаковка
Упаковка (стандартная) Паллета
Количество в упаковке 1

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Datasheets (1)


Под заказ
1 Штука в Паллете
от 1 шт. 309.65 руб./шт.

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
IGBT транзистор IGW30N100TFKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGW30N100TFKSA1: V ce: 1000 В; I c: 30 А; f раб.: 2~20кГц; Корпус: TO-247AC.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.