Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IKA08N65ET6XKSA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IKA08N65ET6XKSA1 Производитель: Infineon OPN: SP001701332
IKA08N65ET6XKSA1 Infineon
  • Артикул: 00382280
  • Количество в упаковке: 1
  • Стандартная упаковка: Паллета

Спецификация

Lowest V CE(sat) and V f
650 V blocking voltage
3 μsec short-circuit protection capability
Optimized for switching frequencies from 8–30 kHz
Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 3 μs
Low gate charge QG�

IGBT транзистор 650В, 7А, 5~30кГц, 1.28В, TO-220AB
Производитель Infineon
Код товара производителя IKA08N65ET6XKSA1
Наименование класса номенклатуры IGBT транзистор
OPN SP001701332
Основные характеристики
V ce (напряжение коллектор-эмиттер) 650 В
I c (постоянный ток коллектора) 7 А
f раб. (рабочая частота) 5~30кГц
V CE(on) (напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора) 1.28 В
Диапазон рабочих температур -40°C~175°C
Размеры
Корпус TO-220AB
Упаковка
Упаковка (стандартная) Паллета
Количество в упаковке 1

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Под заказ
1 Штука в Паллете

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
IGBT транзистор IKA08N65ET6XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKA08N65ET6XKSA1: V ce: 650 В; I c: 7 А; f раб.: 5~30кГц; V CE(on): 1.28 В; Корпус: TO-220AB.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.