- Артикул: 00363549
- Количество в упаковке: 30
IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Short circuit withstand time 5μs at Tvj = 175°C
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Very soft, fast recovery anti-parallel diode
Maximum junction temperature 175°C
2500 VRMS electrical isolation, 50/60 Hz, t = 1 min
100 % tested isolated mounting surface
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22
IGBT транзистор 600В, 50А, 18~60кГц, 2.2В, HSIP247-3
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Very soft, fast recovery anti-parallel diode
Maximum junction temperature 175°C
2500 VRMS electrical isolation, 50/60 Hz, t = 1 min
100 % tested isolated mounting surface
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22
IGBT транзистор 600В, 50А, 18~60кГц, 2.2В, HSIP247-3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IKFW50N60DH3XKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001672364
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
50 А
f раб.
(рабочая частота)
18~60кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.2 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
HSIP247-3
Упаковка
Количество в упаковке
30
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.96 МБ
IGBT транзистор IKFW50N60DH3XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKFW50N60DH3XKSA1: V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 18~60кГц; V CE(on): 2.2 В; Корпус: HSIP247-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IKFW50N60DH3XKSA1: V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 18~60кГц; V CE(on): 2.2 В; Корпус: HSIP247-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.