- Артикул: 00363551
- Количество в упаковке: 15
IKFW90N60EH3XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 90А, 18~60кГц, 1.85В, HSIP247-3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IKFW90N60EH3XKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001502666
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
90 А
f раб.
(рабочая частота)
18~60кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.85 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
HSIP247-3
Упаковка
Количество в упаковке
15
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.96 МБ
IGBT транзистор IKFW90N60EH3XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKFW90N60EH3XKSA1: V ce: 600 В; I c: 90 А; f раб.: 18~60кГц; V CE(on): 1.85 В; Корпус: HSIP247-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IKFW90N60EH3XKSA1: V ce: 600 В; I c: 90 А; f раб.: 18~60кГц; V CE(on): 1.85 В; Корпус: HSIP247-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.