- Артикул: 00324348
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Пенал
IKP20N60TXKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
IGBT транзистор IKP20N60T SP000683066 INF
IGBT транзистор 600В, 28А, 2~20кГц, 1.65В, TO-220AB
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
IGBT транзистор IKP20N60T SP000683066 INF
IGBT транзистор 600В, 28А, 2~20кГц, 1.65В, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IKP20N60TXKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP000683066
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
28 А
f раб.
(рабочая частота)
2~20 кГц
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.65 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
499.79 КБ
IKP20N60TXKSA1 Infineon
Аналоги
| Infineon | IRGB4062DPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, | Под заказ | - |
|
IRGB4062DPBF Infineon
Под заказ
50 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | IRGB4620DPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 20 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 2.1 В; Корпус: TO-220AB | Под заказ | - |
|
IRGB4620DPBF Infineon
Полная карточка товара
IRGB4620DPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 20 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 2.1 В; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Паллете
|
|||
IGBT транзистор IKP20N60TXKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKP20N60TXKSA1: V ce: 600 В; I c: 28 А; f раб.: 2~20 кГц; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IKP20N60TXKSA1: V ce: 600 В; I c: 28 А; f раб.: 2~20 кГц; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.