Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IKQ75N120CH3XKSA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IKQ75N120CH3XKSA1 Производитель: Infineon OPN: SP001220142
IKQ75N120CH3XKSA1 Infineon
  • Артикул: 00359638
  • Количество в упаковке: 240
  • Стандартная упаковка: Пенал

Спецификация

High power density – up to 75 A 1200 V IGBT co-packed with 75 A diode in TO-247 footprint
20% lower R th(jh) compared to TO-247 3 pin
Extended collector-emitter pin creepage of 4.25 mm
Extended clip creepage due to fully encapsulated front side of the package

IGBT транзистор 1200В, 75А, 18~60кГц, 1.9В, TO-247AC
Производитель Infineon
Код товара производителя IKQ75N120CH3XKSA1
Наименование класса номенклатуры IGBT транзистор
OPN SP001220142
Основные характеристики
V ce (напряжение коллектор-эмиттер) 1200 В
I c (постоянный ток коллектора) 75 А
f раб. (рабочая частота) 18~60кГц
V CE(on) (напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора) 1.9 В
Диапазон рабочих температур -40°C~175°C
Размеры
Корпус TO-247AC
Упаковка
Упаковка (стандартная) Пенал
Количество в упаковке 240

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Под заказ
240 Штук в Пенале

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
IGBT транзистор IKQ75N120CH3XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKQ75N120CH3XKSA1: V ce: 1200 В; I c: 75 А; f раб.: 18~60кГц; V CE(on): 1.9 В; Корпус: TO-247AC.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.