- Артикул: 00375233
- Количество в упаковке: 6
- Стандартная упаковка: Пенал
IKQ75N120CS6XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 75А, 10~50кГц, 2.1В, TO-247PLUS-3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IKQ75N120CS6XKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001666624
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
75 А
f раб.
(рабочая частота)
10~50кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.1 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247PLUS-3
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
6
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
2.02 МБ
pdf
2.02 МБ
IGBT транзистор IKQ75N120CS6XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKQ75N120CS6XKSA1: V ce: 1200 В; I c: 75 А; f раб.: 10~50кГц; V CE(on): 2.1 В; Корпус: TO-247PLUS-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IKQ75N120CS6XKSA1: V ce: 1200 В; I c: 75 А; f раб.: 10~50кГц; V CE(on): 2.1 В; Корпус: TO-247PLUS-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.