- Артикул: 00382199
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор IKW30N60DTP SP001379684 INF
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IKW30N60DTPXKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001379684
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
38 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.45 В
Размеры
Корпус
TO-247
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
DataSheet IKW30N60DTPXKSA1 Infineon
Английский язык
pdf
1.51 МБ
IGBT транзистор IKW30N60DTPXKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKW30N60DTPXKSA1: V ce: 600 В; I c: 38 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IKW30N60DTPXKSA1: V ce: 600 В; I c: 38 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.