Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IKW30N65ES5XKSA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IKW30N65ES5XKSA1 Производитель: Infineon OPN: SP001319678
IKW30N65ES5XKSA1 Infineon
  • Артикул: 00331329
  • Количество в упаковке: 1
  • Стандартная упаковка: Пенал

Спецификация

Very low V CE(sat) of 1.35V at 25°C, 20% lower than TRENCHSTOP™ 5 H5
I C(n)=four times nominal current (100°C T c)
Soft current fall characteristics with no tail current
Symmetrical, low voltage overshoot
Gate voltage under control (no oscillation). No risk of unwanted turn-on of device and no need for gate clamping
Maximum junction temperature T vj=175°C
Qualified according to JEDEC standards

IGBT транзистор 650В, 39.5А, 10~30кГц, 1.45В, TO-247AC
Производитель Infineon
Код товара производителя IKW30N65ES5XKSA1
Наименование класса номенклатуры IGBT транзистор
OPN SP001319678
Основные характеристики
V ce (напряжение коллектор-эмиттер) 650 В
I c (постоянный ток коллектора) 39.5 А
f раб. (рабочая частота) 10~30кГц
V CE(on) (напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора) 1.45 В
Диапазон рабочих температур -40°C~175°C
Размеры
Корпус TO-247AC
Упаковка
Упаковка (стандартная) Пенал
Количество в упаковке 1

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Datasheets (1)


Под заказ
1 Штука в Пенале

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
IGBT транзистор IKW30N65ES5XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKW30N65ES5XKSA1: V ce: 650 В; I c: 39.5 А; f раб.: 10~30кГц; V CE(on): 1.45 В; Корпус: TO-247AC.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.