- Артикул: 00382070
- Количество в упаковке: 30
IKW40N60H3FKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz
Low switching losses for high efficiency
Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability
Offering T j(max) of 175°C
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
IGBT транзистор 600В, 40А, 20~100кГц, 1.65В, TO-247AC
Low switching losses for high efficiency
Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability
Offering T j(max) of 175°C
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
IGBT транзистор 600В, 40А, 20~100кГц, 1.65В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IKW40N60H3FKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP000769928
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
40 А
f раб.
(рабочая частота)
20~100кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.65 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Количество в упаковке
30
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.77 МБ
IKW40N60H3FKSA1 Infineon
Аналоги
| Infineon | IGBT транзистор IRGP4640DPBF; V ce: 600 В; I c: 40 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.8 В; Корпус: D2Pak (TO-263) | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IRGP4640DPBF Infineon
Полная карточка товара
IGBT транзистор IRGP4640DPBF; V ce: 600 В; I c: 40 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.8 В; Корпус: D2Pak (TO-263)
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
|||
| Infineon | IGBT транзистор IRGP4640D-EPBF; V ce: 600 В; I c: 40 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.8 В; Корпус: TO-247AD | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IRGP4640D-EPBF Infineon
Полная карточка товара
IGBT транзистор IRGP4640D-EPBF; V ce: 600 В; I c: 40 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.8 В; Корпус: TO-247AD
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Паллете
|
|||
IGBT транзистор IKW40N60H3FKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKW40N60H3FKSA1: V ce: 600 В; I c: 40 А; f раб.: 20~100кГц; V CE(on): 1.65 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IKW40N60H3FKSA1: V ce: 600 В; I c: 40 А; f раб.: 20~100кГц; V CE(on): 1.65 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.