- Артикул: 00382197
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IKW50N60DTPXKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001379678
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
61 А
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.45 В
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon
Аналоги
| IRGP4068D-EPBF |
| IRGP4063DPBF |
| IRGP4650DPBF |
| IRGP4660DPBF |
| IRGP4069D-EPBF |
| IRGP4650D-EPBF |
| Infineon | IGBT транзистор IRGP4068D-EPBF; V ce: 600 В; I c: 48 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 0.96 В; Корпус: TO-247AD | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IRGP4068D-EPBF Infineon
Полная карточка товара
IGBT транзистор IRGP4068D-EPBF; V ce: 600 В; I c: 48 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 0.96 В; Корпус: TO-247AD
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
|||
| Infineon | IGBT транзистор IRGP4063DPBF; V ce: 600 В; I c: 48 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.95 В; Корпус: TO-247AC | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IRGP4063DPBF Infineon
Полная карточка товара
IGBT транзистор IRGP4063DPBF; V ce: 600 В; I c: 48 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.95 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
25 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | IGBT транзистор IRGP4650DPBF; V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.0 В; Корпус: TO-247AC | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IRGP4650DPBF Infineon
Полная карточка товара
IGBT транзистор IRGP4650DPBF; V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.0 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
|||
| Infineon | IGBT транзистор IRGP4660DPBF; V ce: 600 В; I c: 60 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.95 В; Корпус: TO-247AC | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IRGP4660DPBF Infineon
Полная карточка товара
IGBT транзистор IRGP4660DPBF; V ce: 600 В; I c: 60 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.95 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
|||
| Infineon | IGBT транзистор IRGP4069D-EPBF; V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.2 В; Корпус: TO-247AD | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IRGP4069D-EPBF Infineon
Полная карточка товара
IGBT транзистор IRGP4069D-EPBF; V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.2 В; Корпус: TO-247AD
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Паллете
|
|||
| Infineon | IGBT транзистор IRGP4650D-EPBF; V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2 В; Корпус: TO-247AD | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IRGP4650D-EPBF Infineon
Полная карточка товара
IGBT транзистор IRGP4650D-EPBF; V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2 В; Корпус: TO-247AD
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Паллете
|
|||
IGBT транзистор IKW50N60DTPXKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKW50N60DTPXKSA1: V ce: 600 В; I c: 61 А; V CE(on): 1.45 В.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IKW50N60DTPXKSA1: V ce: 600 В; I c: 61 А; V CE(on): 1.45 В.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.