Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IKW50N60DTPXKSA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IKW50N60DTPXKSA1 Производитель: Infineon OPN: SP001379678
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon
  • Артикул: 00382197
  • Количество в упаковке: 1
  • Стандартная упаковка: Паллета

Спецификация

IGBT транзистор IKW50N60DTP SP001379678 INF
Производитель Infineon
Код товара производителя IKW50N60DTPXKSA1
Наименование класса номенклатуры IGBT транзистор
OPN SP001379678
Основные характеристики
V ce (напряжение коллектор-эмиттер) 600 В
I c (постоянный ток коллектора) 61 А
V CE(sat) (напряжение насыщения «коллектор–эмиттер») 1.45 В
Размеры
Корпус TO-247
Упаковка
Упаковка (стандартная) Паллета
Количество в упаковке 1

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Datasheets (1)

DataSheet IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Английский язык
pdf 1.5 МБ

Под заказ
1 Штука в Паллете

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon

Аналоги

Код товара у производителя
IRGP4068D-EPBF
IRGP4063DPBF
IRGP4650DPBF
IRGP4660DPBF
IRGP4069D-EPBF
IRGP4650D-EPBF
Производитель
Описание
Наличие
Цена от
Infineon IRGP4068D-EPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 48 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 0.96 В; Корпус: TO-247AD Под заказ -
IRGP4068D-EPBF Infineon
Полная карточка товара
IRGP4068D-EPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 48 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 0.96 В; Корпус: TO-247AD
Добавить в избранное
Под заказ 1 Штука в Пенале
Infineon IRGP4063DPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 48 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 1.95 В; Корпус: TO-247AC Под заказ -
IRGP4063DPBF Infineon
Полная карточка товара
IRGP4063DPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 48 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 1.95 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ 25 Штук в Пенале
Infineon IRGP4650DPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 2.0 В; Корпус: TO-247AC Под заказ -
IRGP4650DPBF Infineon
Полная карточка товара
IRGP4650DPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 2.0 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ 1 Штука в Пенале
Infineon IRGP4660DPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 60 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 1.95 В; Корпус: TO-247AC Под заказ -
IRGP4660DPBF Infineon
Полная карточка товара
IRGP4660DPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 60 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 1.95 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ 1 Штука в Пенале
Infineon IRGP4069D-EPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 2.2 В; Корпус: TO-247AD Под заказ -
IRGP4069D-EPBF Infineon
Полная карточка товара
IRGP4069D-EPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 2.2 В; Корпус: TO-247AD
Добавить в избранное
Под заказ 1 Штука в Паллете
Infineon IRGP4650D-EPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 2 В; Корпус: TO-247AD Под заказ -
IRGP4650D-EPBF Infineon
Полная карточка товара
IRGP4650D-EPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 50 А; f раб.: 8~30 кГц; V CE(sat): 2 В; Корпус: TO-247AD
Добавить в избранное
Под заказ 1 Штука в Паллете
IGBT транзистор IKW50N60DTPXKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKW50N60DTPXKSA1: V ce: 600 В; I c: 61 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.